STD10LN80K5

STD10LN80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心架构通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时保持了优异的开关特性。这种设计使得器件在高压工作条件下，能够有效管理功率密度和热性能，为高效率功率转换提供了坚实的基础。

该MOSFET具备800V的漏源击穿电压（V_DSS）和8A的连续漏极电流（I_D）能力，使其能够从容应对工业级应用中的高压应力和电流需求。其导通电阻在10V栅极驱动电压、4A漏极电流条件下典型值仅为630毫欧，这一低R_DS(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，器件拥有极低的栅极电荷（Q_g），典型值约为15nC，这有助于减少开关过程中的驱动损耗，提升开关频率，并简化栅极驱动电路的设计。其栅源电压（V_GS）最大耐受值为±30V，提供了宽裕的安全裕度。

在接口与参数方面，STD10LN80K5采用标准的表面贴装DPAK封装，具有良好的功率耗散能力，在管壳温度（T_C）下最大功耗可达110W。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。低至427pF的输入电容（C_iss）进一步优化了高速开关性能。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

得益于其高压、高效、高可靠性的特点，这款MOSFET非常适用于要求苛刻的功率电子领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动与变频器、UPS（不间断电源）系统以及照明镇流器等。在这些应用中，它能够有效提升整机能效，减少散热需求，并增强系统在高压波动下的稳定性。

• 型号:STD10LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 8A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:630 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:427 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD10LN80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心规格包括800V的漏源电压（V_dss）和8A的连续漏极电流（I_d），专为高压、高可靠性应用而设计。

其技术优势体现在优异的动态与静态参数上：在10V驱动电压下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为630毫欧（@4A），有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Q_g，最大值15nC @10V）和输入电容（C_iss，最大值427pF @100V）确保了快速、高效的开关性能，有助于提升系统整体能效和功率密度。器件工作结温范围覆盖-55°C至150°C，满足工业级应用的严苛环境要求。