STD10NF10T4

STD10NF10T4是ST意法半导体基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，在硅片层面优化了单元密度与导通电阻的平衡，其核心架构旨在实现高效率的功率开关控制。这种设计使得芯片在紧凑的DPAK封装内，能够有效管理导通损耗与开关损耗，为系统提供可靠的功率处理能力。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达100V，确保了在多种中压应用中的稳定工作裕量。在25°C壳温条件下，器件可支持高达13A的连续漏极电流，展现了强大的电流承载能力。其导通电阻（Rds(on)）在典型工作条件下表现出色，在5A电流、10V栅极驱动电压下，最大值仅为130毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在21nC，结合460pF的输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。

在接口与参数方面，STD10NF10T4的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大栅源电压可承受±20V，提供了良好的设计灵活性和鲁棒性。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，有助于防止因噪声引起的误触发。器件的热性能同样可靠，最大功率耗散为50W，并且结温工作范围覆盖-55°C至175°C，能够适应严苛的环境要求。其表面贴装型DPAK封装兼顾了功率耗散与PCB空间占用，便于自动化生产。用户可以通过官方ST代理获取完整的技术支持和供货保障。

凭借其综合性能，该器件非常适合应用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）中的初级侧或次级侧整流与同步整流、DC-DC转换器、电机驱动控制电路、电池保护电路以及各类工业控制系统的功率开关部分。其高可靠性、高效率的特点，使其成为工程师在设计紧凑型、高性能电源和驱动方案时的优选功率开关元件。

• 型号:STD10NF10T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD10NF10T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET II技术和DPAK表面贴装封装。其核心卖点在于优异的电气性能平衡：提供100V的漏源电压和13A的连续漏极电流处理能力，同时将导通电阻（Rds(on)）在典型条件下控制在极低的130毫欧，有效降低了导通损耗。

该器件具备快速的开关特性，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数优化，有助于提升开关频率和效率。宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）和50W的功率耗散能力确保了其在各种环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为中压、中电流应用场景下高效功率开关的理想选择。