STD110N8F6

STD110N8F6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET F6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，旨在实现极低的导通损耗与出色的开关性能平衡。其核心设计通过精细的单元结构和沟槽栅工艺，有效降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时优化了寄生电容参数，为高效率功率转换应用奠定了坚实的物理基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压（V_DSS）为80V，能够为48V总线系统及类似应用提供充足的电压裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达80A，展现出强大的电流处理能力。尤为关键的是，在10V栅极驱动电压、40A漏极电流的测试条件下，其导通电阻典型值低至6.5毫欧，这一极低的R_DS(on)直接转化为导通期间更小的功率耗散，显著提升了系统整体能效。其栅极电荷（Q_g）最大值仅为150nC @ 10V，结合9130pF @ 40V的输入电容（C_iss），意味着器件所需的驱动能量较小，有助于简化驱动电路设计并实现更高的开关频率，从而减小磁性元件的体积。

在接口与参数方面，器件采用标准的表面贴装DPAK封装，具有良好的功率耗散能力，在壳温条件下最大功率耗散为167W。其栅源电压（V_GS）最大额定值为±20V，提供了稳健的驱动安全范围。阈值电压V_GS(th)最大值为4.5V @ 250A，确保了良好的噪声抑制能力。宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C）使其能够适应严苛的环境要求。对于需要可靠供应链保障的设计项目，可以通过官方ST授权代理获取该型号的原装正品和技术支持。

凭借其高电压、大电流、低导通电阻和快速开关的特性组合，STD110N8F6非常适用于对效率和功率密度有高要求的应用场景。典型应用包括工业电源中的同步整流、DC-DC转换器（尤其是降压和半桥拓扑）、电机驱动控制、电池保护电路以及各类需要高效功率开关的汽车电子系统。其性能表现使其成为升级现有设计或开发新一代高能效功率解决方案的理想选择。

• 型号:STD110N8F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9130 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:167W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD110N8F6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F6产品系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，在80V的漏源电压（V_DSS）和高达80A的连续漏极电流（I_D）规格下，实现了极低的导通电阻，典型值仅为6.5毫欧（@10V，40A），这直接带来了更低的导通损耗和更高的系统效率。

此外，其栅极电荷（Q_g）最大值控制在150nC，有助于降低开关损耗并支持更高频率的开关操作。器件采用DPAK表面贴装封装，最大功率耗散为167W，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在苛刻环境下的可靠性与稳定性。这些核心参数使其成为同步整流、DC-DC转换和电机驱动等高效功率管理应用的优选器件。