STD11N60M2-EP

STD11N60M2-EP是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M2-EP技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心在于通过改进的单元结构和外延层工艺，有效降低了单位面积的导通损耗，同时保持了快速开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

在电气特性方面，该MOSFET的额定漏源电压（Vdss）高达600V，使其能够稳定工作在离线式电源、功率因数校正（PFC）等高压场合。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、3.75A漏极电流条件下典型值仅为595毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的传导损耗和发热量。此外，极低的栅极电荷（Qg，最大值12.4nC）和输入电容（Ciss）显著减少了开关过程中的驱动损耗，有助于实现更高频率的开关操作，从而允许使用更小尺寸的磁性元件。

该器件采用标准的DPAK（TO-252）表面贴装封装，具有良好的功率耗散能力，在管壳温度（Tc）下最大可承受85W的功率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要高可靠性和高性能功率开关解决方案的设计，通过官方授权的ST代理渠道获取该器件及相关技术支持是推荐的途径。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设备和备件市场中，它依然是一个经过验证的关键组件。

基于其技术参数，STD11N60M2-EP非常适合应用于要求高效率和高功率密度的场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明系统的电子镇流器、工业电机驱动的辅助电源以及UPS系统中的功率转换模块。其快速开关能力和稳健的电压耐受性使其成为构建紧凑、高效功率转换单元的可靠选择。

• 型号:STD11N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:595 毫欧 @ 3.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:390 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD11N60M2-EP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh M2-EP产品系列。该器件采用DPAK封装，核心优势在于其600V的漏源击穿电压（Vdss）与低至595毫欧（@10V，3.75A）的导通电阻（Rds(on)）的出色组合，这为高压应用提供了优异的传导效率。

此外，其最大栅极电荷（Qg）仅为12.4nC，结合较低的输入电容，确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，有助于提升系统开关频率和整体能效。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，并具备85W（Tc）的功率处理能力，设计用于要求高可靠性的工业级开关电源、功率因数校正及电机控制等应用领域。