STL75N3LLZH5

作为STripFET V产品系列的一员，STL75N3LLZH5是一款采用先进沟槽栅工艺制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构旨在实现极低的导通电阻与快速的开关性能，通过优化的单元设计和制造工艺，在紧凑的封装内实现了高电流处理能力与低损耗的平衡。该器件在25°C壳温下可承载高达75A的连续漏极电流，其漏源击穿电压为30V，适用于中低压、大电流的功率转换场景。

该MOSFET的关键性能体现在其卓越的导通特性上。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值极低，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。6.1毫欧的最大导通电阻（在9.5A， 10V条件下测得）是其核心优势之一。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为11.8nC @ 4.5V，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于高频开关应用至关重要。其阈值电压Vgs(th)最大值为1V，确保了在标准逻辑电平驱动下的可靠开启，而±18V的最大栅源电压则提供了宽裕的驱动安全裕度。

在接口与热参数方面，该器件采用表面贴装型PowerFlat（5x6）封装，这种封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，有助于实现高功率密度设计。其最大功率耗散为60W（壳温条件下），结温工作范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的稳定运行。输入电容（Ciss）等动态参数也经过优化，以配合其快速开关特性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取相关产品信息与支持。

基于其低导通电阻、快速开关能力以及紧凑的封装，STL75N3LLZH5非常适合于对效率和空间有严格要求的应用。典型应用场景包括服务器和通信设备的DC-DC转换器、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理模块中的同步整流和负载开关。其性能特点使其成为在有限空间内实现高效率、高电流功率路径管理的理想选择。

• 型号:STL75N3LLZH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 75A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.1 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1510 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL75N3LLZH5是STMicroelectronics推出的STripFET V系列N沟道功率MOSFET。该器件采用30V漏源电压设计，在25°C壳温下可支持高达75A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，最大值仅为6.1毫欧（@ 10V Vgs），能显著降低功率传导损耗。

此外，其栅极电荷（Qg）低至11.8nC（@ 4.5V），有助于实现快速开关并减少驱动损耗，适用于高频开关电源应用。器件采用热性能优异的表面贴装PowerFlat（5x6）封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，为高功率密度和高可靠性设计提供了坚实基础。