STW75NF30AG

STW75NF30AG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术，并封装于坚固的TO-247封装内。该器件基于优化的单元结构设计，旨在实现高电压下的低导通损耗与优异的开关性能平衡。其核心架构通过精细的工艺控制，有效降低了栅极电荷和输出电容，这对于提升高频开关应用的效率至关重要。

该MOSFET的显著特性在于其300V的漏源击穿电压和高达60A的连续漏极电流能力，这使其能够从容应对工业级功率环境下的高电压、大电流应力。其栅极电荷（Qg）典型值在100V Vds条件下仅为180nC，这一低栅极电荷特性直接转化为更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别有利于高频开关电源和电机驱动电路的设计。同时，其通孔TO-247封装提供了卓越的散热性能和机械强度，确保器件在高温、高功率耗散场景下的长期可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过专业的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

在电气参数方面，STW75NF30AG定义了明确的工作边界，其N沟道增强型模式确保了与标准逻辑电平或驱动器IC的良好兼容性。虽然部分动态参数如特定条件下的导通电阻未在基础列表中详述，但其标称的电压与电流规格已为核心应用提供了坚实保障。设计人员需要结合具体的工作点，参考完整的数据手册以获取精确的Rds(on)、热阻及安全工作区曲线，从而进行精确的热设计和效率优化。

得益于其高耐压、大电流和快速开关特性，这款MOSFET非常适合应用于要求严苛的功率转换领域。典型应用场景包括工业开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路和DC-DC变换器、不间断电源（UPS）和逆变器系统，以及大功率电机驱动和伺服控制。在这些应用中，它能够有效提升系统整体能效，减少散热负担，并增强功率级的功率密度与可靠性。

• 型号:STW75NF30AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 300V 60A TO247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 想获取STW75NF30AG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STW75NF30AG是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247通孔封装。其核心电气规格包括300V的漏源电压（Vdss）和25°C下60A的连续漏极电流（Id），提供了处理高功率所需的坚实基础。

该器件的关键优势在于其优化的开关性能，其最大栅极电荷（Qg）低至180nC @ 100V。这一特性显著降低了开关过程中的驱动损耗，并支持更高频率的开关操作，从而有助于提升电源转换效率并减小磁性元件的体积。它是一款适用于高效、高可靠性功率开关设计的有源器件。