L6569AD013TR

L6569AD013TR是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高压半桥栅极驱动器集成电路，采用紧凑的8引脚SOIC封装。该器件专为驱动半桥拓扑结构中的N沟道功率MOSFET或IGBT而设计，其内部集成了两个独立的驱动通道，分别用于高侧和低侧开关。其核心架构包含一个专为高侧驱动设计的电平移位电路，能够承受高达600V的电压差，确保了在高压应用中的稳定运行。内部集成的自举二极管简化了外部电路设计，同时其RC输入电路提供了良好的抗噪能力和灵活的PWM信号接口。

该驱动器具备170mA灌电流和270mA拉电流的峰值输出能力，能够快速地对功率开关管的栅极电容进行充放电，从而有效降低开关损耗并提升系统效率。其工作电压范围设计为10V至16.6V，为栅极驱动提供了稳定且充足的电压，确保功率器件完全导通或可靠关断。器件内置了欠压锁定（UVLO）保护功能，当供电电压低于安全阈值时会自动关闭输出，防止功率器件在欠压状态下工作而损坏。其输入电路与标准PWM控制器兼容，易于集成到现有的控制环路中。

在接口与参数方面，L6569AD013TR支持表面贴装工艺，工作结温范围宽达-40°C至150°C，使其能够适应严苛的工业环境。其高侧驱动部分通过自举电容供电，最大耐压达600V，适用于母线电压较高的场合。尽管该产品目前已处于停产状态，但在其生命周期内，通过正规的ST代理渠道，它曾是许多电源设计中的可靠选择。其稳健的设计使其在应对开关瞬态和电磁干扰方面表现出色。

这款栅极驱动器典型应用于开关模式电源（SMPS）、电机驱动、电子镇流器以及不同断电源（UPS）等领域的半桥或同步整流电路中。它特别适合需要高效、紧凑解决方案的中小功率场合，能够有效简化系统设计，提升功率级的可靠性和响应速度。其设计充分考虑了在实际应用中对开关速度、隔离和保护的平衡需求。

• 型号:L6569AD013TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 16.6V
• 逻辑电压- VIL，VIH:-
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:170mA，270mA
• 输入类型:RC 输入电路
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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L6569AD013TR是ST意法半导体生产的一款高压半桥栅极驱动器IC，采用8-SOIC封装，适用于表面贴装。该器件集成了两个同步驱动通道，专门设计用于驱动半桥结构中的IGBT或N沟道MOSFET。

其核心特性包括高达600V的自举电压能力，以及170mA（灌）和270mA（拉）的峰值输出电流，确保了功率开关的快速、可靠驱动。器件工作电压范围为10V至16.6V，并能在-40°C至150°C的宽结温范围内稳定工作，满足工业环境的苛刻要求。

通过其RC输入电路和内置自举二极管，该驱动器提供了良好的噪声抑制并简化了外部电路设计，使其成为开关电源、电机驱动等应用中构建高效、紧凑功率级的理想选择。