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STPSC15H12WL

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE SIL CARB 1200V 15A DO247
原厂封装:封装:DO-247
优势价格,STPSC15H12WL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STPSC15H12WL的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STPSC15H12WL是ST意法半导体基于先进的碳化硅(SiC)技术平台开发的一款高性能肖特基势垒二极管。其核心架构摒弃了传统硅基PN结,采用了金属-半导体结原理,这一根本性改变消除了少数载流子注入与复合过程,从而在物理层面实现了零反向恢复电荷(Qrr)和零反向恢复时间(trr)。该器件采用TO-247-2长引线直插封装,属于ECOPACK2环保系列,符合RoHS指令,确保了在高温和高功率密度应用中的长期可靠性。

该二极管的功能特性由其材料与结构决定。其最大反向重复电压高达1200V,能够承受严苛的开关电压应力。在15A的额定平均整流电流下,其典型正向压降仅为1.5V,显著低于同电压等级的硅基快恢复二极管,这直接转化为更低的导通损耗和更高的工作效率。得益于碳化硅材料的宽禁带特性,器件在高温下的反向漏电流极低,在1200V反向电压和150°C结温下典型值仅为90A,确保了出色的高温稳定性。其零反向恢复特性彻底消除了传统二极管关断时产生的电流过冲和电压振荡,这不仅降低了开关损耗,也极大简化了缓冲电路设计,减少了电磁干扰。

在电气参数方面,STPSC15H12WL展现了卓越的静态与动态性能平衡。其零反向恢复时间(trr=0ns)和零恢复电荷是最大亮点,使得开关频率可以大幅提升至数百kHz而无需担心反向恢复损耗。其结电容在0V偏置和1MHz测试条件下为1200pF,合理的容值有助于优化高频开关行为。通孔安装的DO-247封装提供了优异的散热路径,便于通过散热器将热量高效导出,满足高功率应用的热管理需求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高效率、高频率和高可靠性的特点,STPSC15H12WL非常适用于对性能有严苛要求的现代功率转换系统。典型应用场景包括服务器和通信设备的高效率AC-DC电源PFC(功率因数校正)级、太阳能光伏逆变器的DC-AC升压电路、电动汽车车载充电机(OBC)以及工业电机驱动中的续流和钳位电路。在这些应用中,它能够帮助系统实现更高的功率密度、更紧凑的尺寸以及更低的系统总成本,是替代硅基快恢复二极管和超快恢复二极管的理想升级方案。

  • 型号:STPSC15H12WL
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DO-247
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SIL CARB 1200V 15A DO247
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 技术:SiC(Silicon Carbide)Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):15A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 15 A
  • 速度:零恢复时间 \> 500mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:90 A @ 1200 V
  • 不同Vr、F 时电容:1200pF @ 0V,1MHz
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-247-2(直引线)
  • 供应商器件封装:DO-247
  • 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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STPSC15H12WL是ST意法半导体推出的一款1200V/15A碳化硅肖特基二极管,采用TO-247直插封装。其核心优势在于基于宽禁带碳化硅材料,实现了零反向恢复时间(trr=0ns)和零反向恢复电荷,从根本上消除了开关损耗中的关键部分。

该器件在15A电流下的典型正向压降为1.5V,导通损耗低。其1200V的高阻断电压和优异的高温特性(如150°C下仅90A的反向漏电流)确保了系统在苛刻环境下的高可靠性与高效率。这些特性使其成为提升开关电源、光伏逆变器及电动汽车充电设备功率密度和频率的理想选择。

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