STPSC806G-TR

STPSC806G-TR是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管。该器件采用先进的宽禁带半导体材料碳化硅，其核心架构从根本上区别于传统的硅基快恢复二极管。碳化硅材料具备更高的临界击穿电场强度和更快的电子饱和漂移速度，这使得二极管能够在保持极低正向压降的同时，实现高达600V的反向击穿电压，并且其反向恢复特性近乎理想。

得益于碳化硅肖特基结构的固有特性，该二极管在运行中表现出零反向恢复电荷（Qrr）和零反向恢复时间（trr）。这一特性彻底消除了传统硅基二极管在开关过程中因少数载流子复合而产生的反向恢复电流尖峰和相关的开关损耗。其正向压降（Vf）在8A额定电流下典型值仅为1.7V，确保了高效的电能转换。同时，在高达600V的反向电压下，其反向漏电流典型值低至100A，展现了出色的高温和高压稳定性。对于需要可靠技术支持和本地化服务的客户，可以通过ST中国代理获取详细的产品资料、样品以及设计支持。

在接口与封装方面，STPSC806G-TR采用标准的表面贴装DPAK（TO-263-3）封装，具有良好的散热性能和机械强度，便于自动化生产焊接。其引脚配置兼容广泛使用的功率封装标准，易于在现有PCB布局上进行升级替换。关键电气参数还包括在零偏压、1MHz测试条件下的结电容仅为450pF，这有助于降低高频开关应用中的动态损耗和电磁干扰（EMI）。

该器件主要面向对效率、功率密度和可靠性有严苛要求的高端电源与能源转换系统。其典型应用场景包括服务器/数据中心的高效率AC-DC电源（PFC升压二极管）、太阳能光伏逆变器中的DC-AC模块、电动汽车车载充电机（OBC）以及工业电机驱动中的整流和续流环节。在这些应用中，其零反向恢复特性能够显著降低开关损耗，提升系统整体效率，同时允许使用更高的开关频率，从而减小无源元件（如电感和电容）的体积，实现电源系统的小型化和轻量化。

• 型号:STPSC806G-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARBIDE 600V 8A D2PAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:600 V
• 电流 - 平均整流 (Io):8A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 8 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 600 V
• 不同Vr、F 时电容:450pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• 想获取STPSC806G-TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STPSC806G-TR是意法半导体基于碳化硅技术制造的肖特基势垒整流二极管，采用DPAK表面贴装封装。其核心优势在于利用宽禁带半导体特性，实现了600V的高反向耐压与8A的平均整流电流，同时保持了1.7V（@8A）的低正向压降。

该器件最显著的技术特点是其零反向恢复时间（trr）和零反向恢复电荷，这源于肖特基结的单极导电机制，彻底消除了传统硅快恢复二极管固有的开关损耗和电流振荡问题。结合其低至100A（@600V）的反向漏电流和450pF的结电容，STPSC806G-TR为高效率、高频率的功率转换应用提供了理想的解决方案。