STD11NM50N

STD11NM50N是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单颗芯片上实现了低导通电阻与高开关速度的优异平衡。其核心在于通过改进的单元几何结构和外延生长工艺，显著降低了单位面积的导通损耗，同时保持了稳健的雪崩耐量和快速的体二极管反向恢复特性，这使其在硬开关和软开关拓扑中均能表现出色。

该MOSFET具备500V的高漏源击穿电压(Vdss)，为离线式开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路提供了充足的电压裕量，增强了系统在电网波动或感性负载关断时的可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流(Id)额定值达8.5A，结合仅470mΩ（典型条件下）的低导通电阻(Rds(on))，意味着在导通期间能够有效降低功率损耗，提升整体能效。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，且最大栅极电荷(Qg)控制在19nC，这有助于减小驱动电路的损耗并提升开关频率，为设计紧凑、高效的电源模块创造了条件。

在电气参数方面，该器件展现了全面的稳健性。其栅源电压(Vgs)最大可承受±25V，增强了抗栅极噪声干扰的能力。输入电容(Ciss)典型值较低，有利于实现快速的电压上升和下降时间。封装采用标准的表面贴装DPAK（TO-252）形式，具有良好的功率耗散能力，在壳温条件下最大功耗可达70W，并且结温(Tj)最高可工作至150°C，确保了在高温环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取原装正品和技术支持。

基于其高性能与高可靠性，STD11NM50N非常适用于要求严苛的功率转换领域。其主要应用场景包括工业级开关电源、服务器/通信电源的PFC级和DC-DC变换器、大功率LED照明驱动、以及电机驱动和逆变器的功率开关部分。其优异的性能平衡使其成为工程师在开发高效、高功率密度电源产品时的优选功率开关解决方案。

• 型号:STD11NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 8.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:470 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:547 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD11NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh II产品系列。该器件核心优势在于其500V的漏源电压和8.5A的连续漏极电流能力，为中等功率应用提供了坚实的电压与电流基础。

其技术亮点在于实现了低导通损耗与快速开关特性的结合，在10V驱动电压下，导通电阻典型值仅为470mΩ，同时栅极电荷被优化至19nC。这直接转化为更高的系统效率和潜在的高开关频率运行能力。器件采用DPAK表面贴装封装，最大功耗70W，支持高达150°C的结温工作，确保了在紧凑空间和高温环境下的长期可靠性，适用于开关电源、PFC电路及电机控制等关键领域。