STD12N50DM2

STD12N50DM2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DM2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用表面贴装型DPAK封装，专为高效能、高可靠性的功率转换应用而设计。其核心架构融合了优化的单元结构和先进的沟槽栅技术，旨在实现低导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）之间的卓越平衡，这是提升开关电源效率、降低开关损耗的关键所在。

在功能特性上，该MOSFET展现出强大的性能指标。其漏源击穿电压（Vdss）高达500V，确保了在高压工作环境下的稳定性和安全性。在25°C壳温（Tc）条件下，连续漏极电流（Id）可达11A，展现了其出色的电流承载能力。其导通电阻在典型工作条件下（如5.5A， 10V Vgs）最大仅为350毫欧，有效降低了导通状态下的功率损耗。同时，最大栅极电荷（Qg）被控制在16nC（@10V），结合628pF（@100V）的输入电容，意味着驱动电路的设计可以更为简化，开关速度更快，有助于提升系统在高频工作下的整体效率。

该器件的接口与参数设定充分考虑了工业应用的严苛要求。其栅极驱动电压（Vgs）标准为10V，最大耐受电压为±25V，提供了宽裕的设计余量。阈值电压Vgs(th)最大为5V，具备良好的噪声抑制能力。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，最大功率耗散为110W（Tc），确保了在宽温范围和较高功率等级下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

基于其高压、大电流、低损耗的特性，STD12N50DM2非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制以及照明系统的电子镇流器和LED驱动器。在这些应用中，它能够有效提升能源转换效率，减小系统体积和热设计难度，是工程师实现高性能、高可靠性电源设计的优选功率开关器件。

• 型号:STD12N50DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:628 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD12N50DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh DM2技术和DPAK表面贴装封装。该器件核心优势在于其500V的高漏源电压（Vdss）和11A的连续漏极电流（Id）承载能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术参数经过精心优化，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为350毫欧，同时栅极电荷（Qg）最大值低至16nC。这一组合特性显著降低了导通损耗和开关损耗，有助于提升系统的整体能效和开关频率。此外，其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和110W的功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。