STFI28N60M2

STFI28N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色平衡，这一核心架构使其在高压开关应用中能够显著降低传导损耗和开关损耗，提升整体能效。

该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）高达600V，确保了其在离线电源、工业电机驱动等高压环境下的可靠工作与安全裕度。其导通电阻（Rds(on)）在典型工作条件下（如11A，10V Vgs）最大仅为150毫欧，结合高达22A（Tc=25°C）的连续漏极电流能力，意味着在导通期间能够承受较高的电流负载并产生较低的热损耗。栅极电荷（Qg）最大值控制在36nC（@10V），这一特性对于降低开关过程中的驱动损耗、提升开关频率以及简化驱动电路设计至关重要，尤其适用于需要高频操作的开关电源拓扑。

在接口与参数方面，器件采用通孔安装的I2PAKFP（TO-281）封装，具有良好的机械强度和散热特性，其最大结温（TJ）可达150°C，配合30W（Tc）的功率耗散能力，使其能够适应较为苛刻的热环境。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±25V，为栅极驱动提供了安全的电压窗口。对于寻求可靠供应链支持的开发者，可以通过授权的ST芯片代理获取相关的技术资料与库存信息。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代型号或生命周期管理策略。

得益于其高压、低损耗的特性组合，STFI28N60M2非常适用于需要高效能量转换的功率电子系统。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业变频器和电机驱动器的逆变桥臂，以及不间断电源（UPS）和电焊机等设备的功率级。在这些应用中，它能够帮助系统实现更高的功率密度和更优的能效表现。

• 型号:STFI28N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 22A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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STFI28N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和22A（Tc）的连续漏极电流能力，提供了坚固的电压阻断和高电流处理性能。

该MOSFET的关键优势在于其优化的动态特性，其最大导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压下仅为150毫欧，同时最大栅极电荷（Qg）低至36nC。这种低导通电阻与低栅极电荷的结合，有效降低了功率转换系统中的传导损耗和开关损耗，有助于提升整体效率并允许更高频率的操作。器件采用I2PAKFP（TO-281）通孔封装，最大结温为150°C，适用于对热管理和可靠性有要求的工业级电源与电机控制应用。