STD12N60DM6

STD12N60DM6是ST意法半导体基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡，其核心在于通过创新的单元布局和工艺技术，有效降低了单位面积下的特定导通电阻（Rds(on)），从而在高压应用中显著提升能效。

该MOSFET具备多项关键电气特性，使其在高压开关应用中表现卓越。其漏源击穿电压（Vdss）高达600V，确保了在工业级AC-DC电源、电机驱动等高压环境下的可靠工作与安全裕量。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压、5A漏极电流条件下，其导通电阻典型值仅为390毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更优的热性能。同时，栅极总电荷（Qg）最大值仅为17nC（@10V），结合适中的输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有利于提升系统整体频率和效率。

在接口与参数层面，该器件采用标准的表面贴装DPAK封装，便于自动化生产并优化PCB空间布局。其在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）额定值为10A，最大功耗为90W（Tc），提供了可观的电流处理能力。工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定性和长寿命。栅源电压（Vgs）耐受范围为±25V，增强了驱动电路的鲁棒性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取该产品及相关设计资源。

得益于其高压、低损耗和快速开关的特性，STD12N60DM6非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、照明系统的电子镇流器、工业电机驱动与逆变器、以及不间断电源（UPS）等。在这些应用中，它能够有效降低系统能耗，提升功率密度，并简化热管理设计。

• 型号:STD12N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:390 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:508 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取STD12N60DM6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STD12N60DM6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）与10A（Tc）连续漏极电流，专为高压、高效率的功率开关应用而设计。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上：极低的导通电阻（典型值390mΩ @ 5A, 10V）有效降低了导通损耗，而较小的栅极电荷（最大值17nC @ 10V）则确保了快速的开关瞬态，有助于提升系统整体能效和开关频率。宽广的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）进一步保障了其在各种环境条件下的可靠运行。