STD13N60M6

STD13N60M6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色平衡，这一核心架构使其在高压开关应用中能够显著降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其600V的漏源击穿电压（Vdss）提供了宽裕的电压裕量，确保了在诸如离线式电源等高压环境下的可靠运行。在25°C壳温条件下，器件可支持高达10A的连续漏极电流，并拥有92W的功率耗散能力，展现了强大的电流处理与散热性能。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、5A电流条件下典型值仅为380毫欧，有效减少了导通状态下的功率损失。同时，极低的栅极电荷（Qg）最大值仅为13nC与适中的输入电容，共同降低了驱动电路的负担，使得开关速度更快，开关损耗更低，特别适合高频开关应用。

在电气接口与参数方面，该器件标准驱动电压为10V，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.75V，具备良好的噪声抑制能力。其栅源电压（Vgs）可承受±25V的峰值，增强了驱动级的鲁棒性。器件采用表面贴装型DPAK封装，具有良好的功率密度和焊接可靠性，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的工作环境。对于需要稳定供货与技术支持的设计项目，通过官方授权的ST一级代理进行采购是确保产品正宗与供应链安全的重要途径。

凭借其高性能与高可靠性，STD13N60M6非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。它是开关电源（SMPS）初级侧功率开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动逆变器以及照明镇流器等设备的理想选择。在工业电源、家用电器和LED驱动等领域，该器件能够帮助设计工程师优化能效，缩小产品体积，并提升系统的长期运行稳定性。

• 型号:STD13N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:509 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:92W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取STD13N60M6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STD13N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Tc），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其关键优势在于优异的动态与静态性能平衡。在10V驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至380毫欧（@5A），有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（13nC @10V）和输入电容，确保了快速开关特性和低开关损耗，这对于提升开关电源等系统的整体效率至关重要。器件采用DPAK表面贴装封装，功率耗散达92W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，具备高可靠性和强大的环境适应性。