STD14NM50N

STD14NM50N是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺处理，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时保持了优异的开关特性。这种架构使得器件在高压开关应用中能够有效降低传导损耗，提升整体能效。

该MOSFET具备500V的高漏源击穿电压（Vdss），为离线式开关电源、功率因数校正（PFC）等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值达到12A，支持较高的功率处理能力。其导通电阻在典型工作条件下表现出色，在Vgs=10V， Id=6A时，Rds(on)最大值仅为320毫欧，这直接转化为更低的导通压降和发热量。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在27nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速、高效的开关切换，减少开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，STD14NM50N采用标准的表面贴装DPAK封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±25V的栅源电压，增强了抗干扰能力，而典型的阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声抑制和易驱动性。器件的最大结温（Tj）为150°C，在规定的热设计条件下，最大功率耗散可达90W，这要求在实际应用中配合适当的散热措施以充分发挥其性能。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取相关产品信息与支持。

凭借其高压、低导通电阻和快速开关的特性，这款MOSFET非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明系统的电子镇流器、工业电机驱动的辅助电源以及不同断电源（UPS）系统中的功率级。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的MDmesh II技术优势，仍为理解高压MOSFET的性能权衡和选型提供了有价值的参考。

• 型号:STD14NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD14NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心规格包括500V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的导通性能，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为320毫欧，这有助于显著降低导通状态下的功率损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性支持快速的开关速度，有利于提升开关电源等应用的效率和频率性能。