STD150NH02L-1

STD150NH02L-1是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔I-PAK封装，专为需要极低导通损耗和高电流处理能力的应用而设计。其核心架构优化了单元密度和沟道电阻，在紧凑的封装内实现了卓越的功率密度和开关性能，是ST在功率半导体领域深厚技术积累的体现。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压和75A漏极电流条件下，Rds(On)典型值仅为3.5毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，器件在25°C壳温下能够连续承受高达150A的漏极电流，并支持高达24V的漏源电压，展现出强大的电流处理能力和稳健性。其栅极电荷（Qg）典型值为93nC，结合优化的内部结构，有助于实现快速开关并降低开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。

在电气参数方面，STD150NH02L-1的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.8V，标准逻辑电平驱动即可使其充分导通，简化了驱动电路设计。其栅源电压（Vgs）最大耐受范围为±20V，提供了良好的栅极保护裕量。器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计规格依然代表了其在生命周期内针对高性能应用的市场定位，用户可通过ST一级代理等渠道咨询库存或替代方案信息。

凭借高电流、低导通电阻和快速开关的特性，这款MOSFET非常适用于对效率和功率密度有苛刻要求的场合。典型的应用场景包括服务器和通信设备的高密度DC-DC转换器、电机驱动控制中的同步整流、以及各类电源管理和负载开关电路。其通孔I-PAK封装也为需要高可靠性和良好散热性能的工业级电源设计提供了便利。

• 型号:STD150NH02L-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 150A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):150A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:93 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4450 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STD150NH02L-1是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，隶属于其STripFET III产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心优势在于其极低的导通电阻与高电流处理能力，在10V Vgs、75A Id条件下，Rds(On)典型值仅为3.5mΩ，在25°C壳温下连续漏极电流可达150A，漏源电压为24V。

其电气参数设计兼顾了性能与易用性，栅极阈值电压最大1.8V，便于标准逻辑电平驱动，栅极电荷（Qg）典型值93nC有助于实现快速开关。器件工作结温范围宽（-55°C ~ 175°C），确保了在 demanding 环境下的稳定性。这些特性使其成为高效率DC-DC转换、同步整流及电机驱动等应用的理想选择。