STL285N4F7AG

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STL285N4F7AG是一款采用先进STripFET F7技术的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直架构设计，在硅片层面实现了极低的单位面积导通电阻（R_DS(on)），这一特性得益于其精细的沟槽栅极工艺，能够在紧凑的芯片尺寸内有效降低传导损耗，提升整体能效。

其核心优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、24A漏极电流条件下，典型值仅为1.1毫欧，这直接转化为更低的导通压降和功率损耗。同时，该器件具备出色的开关性能，栅极总电荷（Qg）典型值低至67nC @ 10V，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使其在高频开关应用中表现优异。高达120A（Tc）的连续漏极电流和40V的漏源击穿电压（V_DSS）确保了其在严苛工况下的高可靠性承载能力。

在电气参数方面，STL285N4F7AG的栅源阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V @ 250A，提供了良好的噪声抑制能力。其最大栅源电压（V_GS）为±20V，增强了栅极的鲁棒性。该器件采用热增强型表面贴装PowerFlat（5x6）封装，这种封装具有极低的热阻和出色的散热性能，结合高达188W（Tc）的功率耗散能力，使其能够有效管理高功率密度应用中的热量。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C）适应了从工业到汽车电子的各种环境要求。如需获取样品或技术支援，可通过官方授权的ST代理商进行咨询。

凭借其高效率和高功率密度特性，此芯片非常适用于对空间和能效有严格要求的应用领域。典型应用包括服务器和通信设备的同步整流和DC-DC转换器中的高边或低边开关，能够显著提升电源模块的转换效率。此外，在电机驱动控制、电池保护电路以及各类需要大电流开关的电源管理系统中，它也是实现紧凑、高效设计的理想选择。

• 型号:STL285N4F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 毫欧 @ 24A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:67 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:188W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL285N4F7AG是ST意法半导体STripFET F7系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅技术，专为要求高效率和高功率密度的应用而优化。其核心电气参数包括40V漏源电压、高达120A（Tc）的连续漏极电流，以及在10V V_GS下仅1.1毫欧的极低导通电阻，能有效降低传导损耗。

该器件采用热性能优异的PowerFlat（5x6）封装，支持表面贴装，最大功耗达188W（Tc），工作结温范围宽至-55°C ~ 175°C。其低栅极电荷（67nC @ 10V）确保了快速的开关速度，降低开关损耗，使其成为同步整流、DC-DC转换和电机驱动等高频、大电流开关应用的理想解决方案。