STP15N95K5

STP15N95K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220通孔封装，其核心设计旨在实现高耐压与低导通损耗之间的优异平衡。其架构通过优化的单元设计和先进的沟槽工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时确保了在高达950V的漏源电压（Vdss）下的稳健可靠性，这使其在高压开关应用中能有效处理能量转换并减少导通状态下的功率损耗。

该芯片的功能特性突出体现在其卓越的开关性能与热管理能力上。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值低至500毫欧（@6A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为40nC（@10V），结合900pF的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有利于提升高频开关电源的工作频率。器件在25°C壳温下可支持12A的连续漏极电流，最大功率耗散达170W，并且结温工作范围宽达-55°C至150°C，展现了强大的过载能力和环境适应性。

在电气参数与接口方面，STP15N95K5提供了设计工程师所需的明确边界条件。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，而阈值电压Vgs(th)最大为5V（@100A），这确保了良好的噪声抑制能力和稳定的导通控制。TO-220封装形式提供了优异的散热路径，便于安装散热器以应对高功率应用。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取该产品，确保原装正品和完整的应用支持。

得益于其高耐压、低导通电阻和快速开关的特性，这款MOSFET非常适合应用于对效率和可靠性要求苛刻的场合。其主要应用场景包括工业级开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、照明系统的电子镇流器、UPS（不间断电源）以及电机驱动控制等高压功率转换领域。在这些应用中，它能够有效提升系统整体能效，减小散热器尺寸，并增强系统在严苛工况下的长期运行稳定性。

• 型号:STP15N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 12A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP15N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其高达950V的漏源击穿电压（Vdss）与低至500毫欧（@6A, 10V）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这使其在高压应用中能显著降低传导损耗。

器件在25°C壳温下可承受12A的连续漏极电流，最大功率耗散为170W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，具备强大的功率处理能力和宽温工作可靠性。其低栅极电荷（Qg: 40nC @10V）和输入电容特性，有助于实现快速的开关切换，优化高频开关电源设计的效率与性能。