STD15N50M2AG

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STD15N50M2AG是一款面向汽车级应用的N沟道功率MOSFET。该器件基于先进的MDmesh M2技术平台构建，该平台通过优化的单元结构和垂直布局，在降低导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）之间实现了出色的平衡，从而有效提升了开关效率和功率密度。

其核心特性包括高达500V的漏源击穿电压（V_DSS）和10A的连续漏极电流（I_D）能力。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压（V_GS）和5A漏极电流条件下，其导通电阻典型值低至380毫欧，这直接有助于降低导通状态下的功率损耗。同时，其栅极总电荷（Q_g）最大值仅为13nC（@10V），结合530pF的输入电容（C_iss），意味着器件需要更少的驱动能量即可快速完成开关切换，这对于高频开关应用至关重要，能显著降低开关损耗并简化驱动电路设计。

该MOSFET采用标准的表面贴装DPAK封装，具有良好的功率耗散能力，在管壳温度（T_C）下最大可承受85W的功率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并完全符合AEC-Q101汽车电子可靠性标准，确保了在严苛环境下的长期稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取此产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，STD15N50M2AG非常适用于需要高效功率转换和管理的场合。典型应用包括汽车领域的车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、电机驱动控制，以及工业电源中的功率因数校正（PFC）、开关电源（SMPS）的初级侧开关和照明系统的电子镇流器等。它为设计工程师提供了一个在性能、尺寸和成本方面均具竞争力的高性价比解决方案。

• 型号:STD15N50M2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:530 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD15N50M2AG是意法半导体推出的一款AEC-Q101认证的汽车级N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2系列。该器件采用先进的超结技术，提供了500V的漏源电压（V_DSS）和10A的连续漏极电流（I_D）处理能力。

其关键优势在于优异的开关性能与低导通损耗的结合。在10V V_GS驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）低至380mΩ，同时栅极电荷（Q_g）最大值仅为13nC，这共同确保了高效率的功率转换和更低的驱动需求。器件采用DPAK封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，专为要求高可靠性和高效率的汽车及工业电源应用而设计。