STD16NF25

STD16NF25是ST意法半导体基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面工艺和单元结构设计，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的优异平衡。其核心架构旨在优化功率转换过程中的开关性能和传导损耗，通过精细的沟道设计和低栅极电阻，确保了在高压工作条件下的快速响应与高可靠性，为高效率的功率管理应用提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。250V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对反激式拓扑、PFC（功率因数校正）电路等常见离线开关电源中的电压应力。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达14A，展现了强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、6.5A漏极电流条件下典型值仅为235毫欧，这一低导通阻抗特性直接转化为更低的通态损耗，有助于提升系统整体效率并减少散热需求。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为18nC，较低的栅极驱动需求简化了驱动电路设计，并有助于实现更高的开关频率，从而减小磁性元件的体积。

在接口与参数方面，该器件设计周全。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力。输入电容（Ciss）在25V漏源电压下最大值为680pF，结合低栅极电荷，共同保证了快速的开关瞬态响应。器件采用标准的表面贴装DPAK（TO-252）封装，具有良好的功率耗散能力，在壳温（Tc）条件下最大功耗可达100W，并且支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，适应严苛的环境要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高压、大电流和低损耗的特性，STD16NF25非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。它是开关电源（SMPS）初级侧开关、电机驱动控制、DC-DC转换器以及不间断电源（UPS）等系统中功率开关部分的理想选择。在工业自动化、消费类电子电源适配器、照明驱动等领域，该器件能够有效提升能效等级，并凭借其稳健的性能保障系统的长期可靠运行。

• 型号:STD16NF25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:235 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取STD16NF25的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STD16NF25是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心电气参数包括250V的漏源电压（Vdss）和14A的连续漏极电流（Id），具备处理较高功率的能力。

其技术优势主要体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至235毫欧（@6.5A），能显著降低传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为18nC，有利于实现高速开关并降低驱动损耗，从而提升整体系统效率。这些特性使其成为离线式电源、电机控制和各类功率转换应用的可靠选择。