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BZW06-376RL

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 376VWM 776VC DO204AC
原厂封装:封装:DO-204AC(DO-15)
优势价格,BZW06-376RL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZW06-376RL的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为一款经典的瞬态电压抑制(TVS)二极管,BZW06-376RL采用了成熟的齐纳二极管核心架构,其设计旨在为电子线路提供可靠的过压保护。该器件基于ST意法半导体成熟的TRANSIL技术平台,通过精确的半导体掺杂工艺,在PN结内部形成稳定的雪崩击穿区域,从而实现对瞬态高压能量的快速吸收与泄放。其轴向DO-15封装结构确保了良好的散热性能和机械强度,便于在通孔安装的电路板上进行可靠的焊接与固定。

该TVS二极管的核心功能特点是其精确的电压保护特性。其反向断态电压典型值为376V,最小击穿电压为418V,能够在常态下保持高阻抗,不影响被保护电路的正常工作。当遭遇瞬态浪涌电压时,器件会迅速进入低阻抗的箝位状态,将线路电压限制在最大值776V以内,从而保护后端精密元器件免受损坏。其峰值脉冲功率处理能力达到600W,在8/20s的标准浪涌波形下可承受5.7A的峰值脉冲电流,展现了强大的瞬态能量吸收能力。此外,其电容值在1MHz频率下为350pF,这一特性使其在需要兼顾信号完整性的应用中仍能适用。

在电气接口与关键参数方面,BZW06-376RL是一款单向保护器件,这意味着它主要用于保护直流线路或明确极性关系的信号线,确保浪涌电流沿预定方向泄放到地。其轴向引线设计兼容标准的通孔安装工艺。虽然该产品目前已处于停产状态,但在其生命周期内,它凭借稳定的性能和广泛的应用适配性,成为了许多工业与消费电子设计中的标准保护方案之一。用户如需获取替代方案或库存信息,可以咨询专业的ST中国代理以获取最新的产品支持。

鉴于其通用型的保护定位和376V的典型工作电压,该器件传统上被广泛应用于离线式开关电源(SMPS)的初级侧整流电路后级、工控设备的交流输入端口、以及各类需要应对雷击感应浪涌(Surge)或感性负载开关引起的瞬态过压(EFT)的场合。它为电源母线、电机驱动接口和通信端口等关键节点提供了一道有效的电压屏障,提升了整个电子系统的可靠性与鲁棒性。

  • 型号:BZW06-376RL
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DO-204AC(DO-15)
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 376VWM 776VC DO204AC
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):376V
  • 电压 - 击穿(最小值):418V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):776V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):5.7A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:600W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:350pF @ 1MHz
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向
  • 供应商器件封装:DO-204AC(DO-15)
  • 想获取BZW06-376RL的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BZW06-376RL是ST意法半导体推出的一款轴向封装TVS二极管,隶属于TRANSIL产品系列。它采用单向齐纳结构,专为抑制瞬态过电压而设计,其核心参数包括376V的反向断态电压、高达776V的箝位电压以及600W的峰值脉冲功率,能够有效吸收并泄放浪涌能量。

该器件在8/20s浪涌波形下可承受5.7A的峰值脉冲电流,具备快速响应特性。其350pF@1MHz的结电容使其在通用保护场景中能兼顾一定的信号完整性。作为一款通孔安装的通用型保护元件,它适用于需要中高压线路保护的各类电源和工业接口应用。

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