STH2N120K5-2AG

作为ST意法半导体（STMicroelectronics）旗下符合Automotive, AEC-Q101标准的产品系列成员，STH2N120K5-2AG是一款采用先进MOSFET（金属氧化物）技术的N沟道功率晶体管。其核心架构基于优化的高压工艺平台，旨在提供卓越的可靠性与电气性能。该器件采用紧凑的H2PAK-2表面贴装封装，这种封装设计不仅有助于实现高功率密度，还优化了散热路径，确保在严苛环境下稳定工作，其结温范围覆盖-55°C至150°C，满足汽车级应用的严格要求。

在功能特性方面，这款MOSFET的突出优势在于其高达1200V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业及汽车系统中的高压母线环境。尽管额定连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下为1.5A，但其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、500mA电流条件下最大值仅为10欧姆，配合极低的栅极电荷（Qg，最大值5.3nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大值124pF @ 100V），共同实现了出色的开关效率与低开关损耗。这些特性使得驱动电路的设计更为简化，并有助于提升整个电源系统的频率与能效。其栅源电压（Vgs）支持±30V的最大范围，提供了稳健的驱动容限。

从接口与关键参数来看，该器件定义了清晰的电气操作边界。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V @ 100A，确保了明确的导通与关断状态。在热管理方面，器件最大功率耗散为60W（Tc），结合H2PAK-2封装良好的热性能，为持续功率处理提供了保障。对于需要可靠供应链与技术支持的客户，可以通过专业的ST中国代理获取该产品的详细资料、样品及设计协助。

基于其高压、高效及高可靠性的特点，STH2N120K5-2AG非常适合于要求严苛的应用场景。在汽车电子领域，它是车载充电机（OBC）、高压辅助电源以及电池管理系统中DC-DC转换环节的理想选择。在工业领域，则可广泛应用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机驱动控制以及光伏逆变器的辅助电源模块中，为系统提供稳定、高效的高压开关解决方案。

• 型号:STH2N120K5-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:124 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH2N120K5-2AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道MOSFET。该器件采用H2PAK-2表面贴装封装，核心卖点在于其1200V的高漏源电压（Vdss）额定值，以及优化的开关特性，其最大栅极电荷（Qg）仅为5.3nC，有助于实现高频高效开关操作。

在电气参数上，它在10V驱动电压下具有10欧姆的最大导通电阻（Rds(On)），连续漏极电流（Id）额定值为1.5A（Tc）。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和60W（Tc）的最大功率耗散能力，确保了其在汽车及工业高压电源应用中的长期可靠性与稳定性。