STD17NF03L-1

STD17NF03L-1是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔I-PAK封装，其核心架构旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。通过优化的单元设计和工艺，它在30V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够提供高达17A（Tc）的连续漏极电流，同时将功率耗散控制在30W（Tc）以内，确保了在紧凑空间内的有效热管理。

该MOSFET的功能特性突出体现在其优异的导通性能上。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值非常低，最大值仅为50毫欧（在8.5A条件下测得），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.2V，配合最大仅6.5nC（@5V）的栅极总电荷（Qg），意味着它能够被标准逻辑电平（如5V）轻松且快速地驱动，从而降低了对驱动电路的要求并减少了开关损耗。此外，其输入电容（Ciss）在25V下最大为320pF，进一步支持了高速开关应用。

在电气参数与接口方面，STD17NF03L-1展现了宽泛的工作适应性。其栅源电压（Vgs）可承受±16V的最大值，提供了良好的栅极保护余量。器件支持-55°C至175°C（TJ）的极端结温范围，使其能够应对苛刻的环境温度挑战。通孔I-PAK封装不仅提供了坚固的机械结构，也利于通过PCB进行高效散热。用户可通过ST授权代理获取该产品的详细规格书、应用笔记以及技术支持，以确保设计的合规性与可靠性。

凭借上述技术特点，STD17NF03L-1非常适用于需要高效率、高电流处理能力的低压开关场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、电池保护电路以及各类电源管理模块。尽管其零件状态已标注为停产，意味着已进入产品生命周期末期，但对于现有设备的维护、备件供应或特定长期项目而言，它仍然是一个经过市场验证的可靠选择，尤其适合对STripFET II技术有信赖基础的设计。

• 型号:STD17NF03L-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 17A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.5 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:320 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 想获取STD17NF03L-1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STD17NF03L-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心优势在于其优异的导通特性与开关性能的平衡。

其关键电气参数包括30V的漏源电压（Vdss）和高达17A（Tc）的连续漏极电流能力。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为50毫欧，有效降低了功率损耗。同时，较低的栅极阈值电压（Vgs(th)）和仅6.5nC（@5V）的栅极电荷（Qg），使其易于被标准逻辑电平驱动并实现快速开关，适用于高效率电源转换。

该器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，具备良好的环境适应性，主要面向DC-DC转换、电机驱动及电池管理等低压、大电流开关应用场景。