STD180N4F6

STD180N4F6是ST意法半导体基于其先进的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能。其核心设计通过精细的单元结构和沟槽栅工艺，在保证高电流处理能力的同时，有效降低了导通电阻（Rds(On)）和栅极电荷（Qg），这对于提升系统效率和降低热损耗至关重要。

该MOSFET具备40V的漏源击穿电压（Vdss）和高达80A的连续漏极电流（Id）承载能力，展现了其强大的功率处理潜能。其关键特性在于极低的导通电阻，在10V驱动电压和40A电流条件下，Rds(On)典型值仅为2.8毫欧，这直接转化为更低的传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在130nC，有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失，并降低对栅极驱动电路的要求。器件支持±20V的栅源电压，提供了较宽的驱动安全裕度。

在电气参数方面，STD180N4F6的阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，输入电容（Ciss）在25V偏压下最大为7735pF。其封装采用标准的表面贴装DPAK（TO-252），具有良好的功率耗散能力，在管壳温度（Tc）下最大功耗可达130W，结温工作范围宽达-55°C至175°C，确保了在苛刻环境下的可靠性。用户可通过官方ST代理获取详细的技术支持与供应链信息。

凭借其高电流、低阻抗和快速开关的特性，这款器件非常适用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括同步整流、电机驱动控制、DC-DC转换器（尤其是降压和负载点转换器）以及各类电源管理系统中的开关元件。它在空间受限且对效率和热管理有较高要求的表面贴装设计中，能够提供优异的性能平衡。

• 型号:STD180N4F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7735 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取STD180N4F6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STD180N4F6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心优势在于其40V的漏源电压（Vdss）和高达80A的连续漏极电流（Id）处理能力，专为高功率密度应用设计。

其技术亮点在于极低的导通电阻，在10V Vgs和40A Id条件下，Rds(On)最大值仅为2.8毫欧，配合130nC的最大栅极电荷（Qg），实现了优异的效率与开关速度组合。器件结温工作范围宽至-55°C ~ 175°C，最大功耗为130W（Tc），确保了在严苛环境下的稳定运行与可靠性。