STW30NM60ND

STW30NM60ND是意法半导体（STMicroelectronics）基于其第二代FDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直沟槽栅极结构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻。这种架构的核心优势在于实现了导通损耗与开关损耗之间的出色平衡，使其在高压、高频开关应用中表现出卓越的效率。其沟槽设计不仅提升了电流处理能力，还增强了器件的坚固性和可靠性，为功率转换系统的长期稳定运行提供了保障。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC转换、电机驱动等场合常见的电压应力和尖峰。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为130毫欧（@12.5A），这意味着在传导大电流时产生的功耗极低，有助于提升系统整体能效并简化散热设计。同时，其栅极电荷（Qg）典型值控制在100nC（@10V），较低的栅极电荷有助于降低开关过程中的驱动损耗，并允许使用更小、更经济的栅极驱动器，从而实现更高频率的开关操作，这对于缩小磁性元件尺寸、提高功率密度至关重要。

在接口与参数层面，该器件采用坚固的TO-247-3通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力。其在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）额定值高达25A，最大功耗为190W，结合高达150°C的结温（Tj）工作范围，赋予了系统设计充分的余量和灵活性。其栅源电压（Vgs）支持±25V的最大范围，提供了宽裕的驱动安全边际。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品的详细技术资料、应用指导以及库存信息。

得益于其高电压、低导通电阻和快速开关特性的结合，STW30NM60ND非常适合于要求高效率和高可靠性的中高功率应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主变换器、工业电机驱动与变频器、不同断电源（UPS）以及太阳能逆变器中的功率开关部分。在这些应用中，它能够有效提升能源转换效率，降低系统温升，并有助于实现更紧凑、更节能的电源解决方案设计。

• 型号:STW30NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 想获取STW30NM60ND的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STW30NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）和25A（Tc）连续漏极电流，专为应对严苛的高压开关环境而设计。

其技术亮点在于实现了优异的导通与开关性能平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为130毫欧，有效降低了传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg）典型值（100nC @10V）确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，有利于提升系统效率与功率密度。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和能源转换系统中高效功率开关的理想选择。