STD1NK80Z-1

STD1NK80Z-1是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺，通过优化的单元结构和制造工艺，在单颗芯片上实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。其核心设计旨在最大限度地降低开关损耗和传导损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。得益于其稳健的架构，该器件能够在高电压环境下稳定工作，同时保持良好的热性能。

该器件具备多项突出的电气特性。800V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源中常见的电网电压波动和开关过程中的电压尖峰，为设计提供了充裕的安全裕量。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压、500mA漏极电流条件下的导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这直接有助于减少导通状态下的功率损耗。同时，最大仅为7.7nC的栅极总电荷（Qg）与160pF的输入电容（Ciss），意味着其所需的栅极驱动能量小，能够实现快速的开通与关断，从而有效降低开关损耗，尤其适用于高频开关应用。

在封装与接口方面，STD1NK80Z-1采用标准的通孔安装I-PAK（也称TO-251）封装。这种封装形式在提供良好散热能力的同时，也兼顾了PCB板上的安装便利性和机械强度。其引脚排列清晰，便于手工焊接或波峰焊工艺。器件的栅极允许承受高达±30V的电压，这增强了其抗栅极噪声干扰的能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，结合45W（Tc）的最大功耗能力，确保了其在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和全面技术支持的项目，通过官方授权的ST一级代理进行采购是推荐的渠道。

基于其高耐压、低栅极电荷和良好的开关特性，这款MOSFET非常适合应用于中小功率的离线式开关电源（SMPS），例如辅助电源、适配器和LED驱动电源的初级侧开关。它也可用于功率因数校正（PFC）电路、电子镇流器以及需要高压开关功能的工业控制设备中。在这些场景中，其性能优势有助于提升系统能效等级，满足日益严格的能源法规要求，并增强终端产品的可靠性。

• 型号:STD1NK80Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STD1NK80Z-1是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心规格为800V漏源电压（Vdss）和1A连续漏极电流，采用通孔式I-PAK封装，专为要求高可靠性的功率开关应用而设计。

其技术亮点在于优异的开关性能与导通特性的结合。极低的栅极电荷（Qg最大值7.7nC）和输入电容确保了快速开关能力，能有效降低高频工作下的开关损耗。同时，在10V栅极驱动下具备较低的导通电阻，有助于最小化传导损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和45W的功率耗散能力，使其能够适应严苛的工作环境。