STI32N65M5

STI32N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔I2PAK封装，专为高电压、高功率应用环境设计，旨在提供优异的开关性能和功率处理能力。其核心架构通过优化单元密度和栅极设计，在650V的高漏源电压（Vdss）额定值下，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡，这对于提升系统效率至关重要。

该芯片的功能特点突出体现在其低导通损耗与快速开关特性上。在10V驱动电压下，其导通电阻最大值仅为119毫欧（测试条件：12A），这直接降低了器件在导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在72nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速的栅极驱动和开关转换，从而减少开关损耗，提升整体电源系统的频率和效率。其结温（TJ）最高可支持150°C，功率耗散能力达150W（Tc），确保了在严苛热环境下的可靠运行。

在接口与关键参数方面，STI32N65M5标称连续漏极电流（Id）为24A（基于壳温Tc），栅源电压（Vgs）最大耐受值为±25V，提供了宽裕的驱动安全裕量。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V，具备良好的噪声抑制能力。这些参数共同定义了一个坚固且高效的功率开关界面。对于需要可靠货源和技术支持的客户，通过正规的ST一级代理进行采购是保障产品正宗与供应链稳定的重要途径。

得益于650V的耐压和强大的电流处理能力，这款MOSFET非常适用于要求严苛的工业级开关电源（SMPS），如服务器电源、通信基础设施的电源模块。同时，它也是电机驱动、不间断电源（UPS）、电焊机和光伏逆变器等应用中功率转换级（如PFC、半桥/全桥拓扑）的理想选择。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设备维护或特定批次生产中，它依然是一个经过验证的高性能解决方案。

• 型号:STI32N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:119 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3320 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 想获取STI32N65M5的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STI32N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用I2PAK通孔封装，隶属于高性能的MDmesh V产品系列。该器件核心优势在于其650V的漏源击穿电压（Vdss）与24A的连续漏极电流（Id）额定值，为高压大功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻（119mΩ @12A, 10V）与低栅极电荷（72nC @10V）的优化组合，这直接转化为更低的传导损耗和更快的开关速度，有助于提升电源系统的整体效率与功率密度。器件支持150°C的最高结温，功率耗散达150W，确保了在高温环境下的稳定性和可靠性，适用于工业电源、电机驱动等 demanding 应用场景。