STFI8N80K5

STFI8N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心设计旨在有效控制电场分布，从而在800V的高漏源电压（Vdss）额定值下，依然能维持稳健的电气性能和可靠性，为高压开关应用提供了一个坚实的技术基础。

该MOSFET的功能特性围绕高效率与快速开关而构建。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、3A漏极电流条件下典型值仅为950毫欧，这有助于显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体能效。同时，器件具有优化的栅极电荷（Qg）特性，最大值仅为16.5nC @ 10V，结合450pF @ 100V的较低输入电容（Ciss），使得栅极驱动更为容易，并能实现快速的开关转换，减少开关过程中的损耗。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了良好的抗干扰能力，而5V @ 100A的阈值电压（Vgs(th)）则确保了在标准逻辑电平下的可靠开启。

在电气参数与物理接口方面，STFI8N80K5标称连续漏极电流（Id）为6A（基于壳温Tc），最大功率耗散能力为25W（Tc）。其宽泛的工作结温（TJ）范围覆盖-55°C至150°C，使其能够适应苛刻的环境温度条件。器件采用通孔安装形式的I2PAKFP（也称为TO-281）封装，这种封装具有良好的机械强度和散热特性，便于在功率板上进行可靠的焊接与热管理。对于需要获取官方技术支持和样品供应的设计人员，可以联系ST中国代理以获取详细资料。

凭借800V的高压耐受能力和SuperMESH5技术带来的优良开关特性，这款MOSFET非常适用于需要高效功率转换和管理的离线式应用。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明用电子镇流器以及工业电机驱动中的辅助电源部分。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能参数，使其在既有设备维护或对长期供货有保障的特定设计中，仍是一个值得考虑的高性价比选择。

• 型号:STFI8N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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STFI8N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件核心优势在于其800V的漏源击穿电压（Vdss）与低至950毫欧（@ 3A, 10V）的导通电阻的出色结合，这得益于先进的芯片技术，旨在实现高压应用中的高效率与低损耗。

器件具备快速开关能力，其最大栅极电荷（Qg）仅为16.5nC，输入电容（Ciss）为450pF，这有助于简化驱动设计并提升开关频率。其额定连续漏极电流为6A（Tc），采用通孔式I2PAKFP（TO-281）封装，最大功耗25W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。