STH22N95K5-2AG

作为ST意法半导体旗下高性能功率半导体产品线的一员，STH22N95K5-2AG是一款设计精良的N沟道功率MOSFET。该器件基于先进的平面工艺技术构建，其核心架构旨在实现高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其内部结构经过优化，确保了在高压开关应用中电荷能够被高效、快速地控制，从而显著降低开关损耗并提升整体能效。

该MOSFET的功能特点突出体现在其稳健的电气性能上。其高漏源电压（Vdss）额定值使其能够承受严苛的高压环境，为系统提供了可靠的安全裕度。同时，极低的导通电阻（Rds(on)）特性意味着在导通状态下，器件的功率损耗被降至最低，这对于提升电源转换效率、减少发热至关重要。其栅极驱动设计兼容性强，所需的驱动电压（Vgs）在常见控制器的输出范围内，便于系统集成。此外，其优化的动态参数，如较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有助于实现更快的开关速度，减少开关过程中的重叠损耗，这对于高频开关电源应用尤为重要。

在接口与关键参数方面，该器件采用标准封装，确保了良好的散热性能和机械可靠性，适合自动化贴装生产。其工作温度范围宽泛，能够适应工业级应用环境的要求。详细的电气参数，包括在不同工作条件下的导通电阻、栅极阈值电压以及热特性，均经过严格测试与规格化，为工程师进行精确的电路设计与热管理提供了可靠依据。用户可以通过官方授权的ST代理商获取完整的数据手册、技术支持和样品。

凭借其高性能与高可靠性，STH22N95K5-2AG非常适合应用于对效率和功率密度有严格要求的场景。典型应用包括工业电源中的功率因数校正（PFC）电路、开关模式电源（SMPS）的初级或次级侧开关、电机驱动与逆变器中的功率开关单元，以及不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等新能源设备。在这些应用中，它能够有效提升系统能效，增强功率处理能力，并确保长期稳定运行。

• 型号:STH22N95K5-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1550 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH22N95K5-2AG是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，属于其有源晶体管产品系列。该器件专为高压、高效率的功率开关应用而设计，其核心优势在于实现了高耐压能力与低导通损耗的优异结合。

通过采用先进的半导体工艺，该MOSFET提供了稳健的电气特性，旨在优化开关电源和功率转换系统的性能。其设计着重于降低导通电阻和栅极电荷，从而有效减少导通与开关过程中的能量损失，提升整体能效和功率密度。该器件适用于要求高可靠性和高效能的工业级应用环境。