STP3N62K3

STP3N62K3是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的SuperMESH3产品系列。该器件采用成熟的平面MOSFET技术，通过优化的单元结构和制造工艺，在硅片层面实现了高击穿电压与低导通电阻的良好平衡。其核心设计旨在处理高达620V的漏源电压，同时将传导损耗控制在较低水平，这使其在高压开关应用中能够提供可靠的性能基础。

该MOSFET的显著特性在于其优异的开关性能与稳健性。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、1.4A电流条件下典型值仅为2.5欧姆，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。栅极电荷（Qg）最大值被控制在13nC（@10V），结合385pF的输入电容，意味着器件具有较快的开关速度，能够有效降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计。此外，其栅源电压（Vgs）耐受范围达到±30V，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力，增强了系统在复杂电磁环境下的可靠性。

在电气参数方面，STP3N62K3在壳温（Tc）条件下可支持2.7A的连续漏极电流，最大功耗为45W。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，确保了与标准逻辑电平或微控制器I/O口的良好兼容性。器件采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，便于安装在散热器上以应对更高的功率耗散需求，其结温（Tj）最高可工作至150°C，展现了宽泛的工作温度范围。

凭借620V的高耐压和SuperMESH3技术带来的低损耗特性，这款器件非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及电机驱动等中低功率高压开关场景。对于需要可靠高压开关解决方案的设计工程师而言，通过正规的ST芯片代理渠道获取该器件，是确保产品供应链稳定与元器件质量的重要一环。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设备维护或特定设计延续性项目中，它仍是一个值得考虑的技术选项。

• 型号:STP3N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.7A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:385 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP3N62K3是ST意法半导体SuperMESH3系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高压开关应用，其核心参数包括620V的漏源击穿电压（Vdss）以及在10V Vgs、1.4A Id条件下最大2.5欧姆的低导通电阻，这有效优化了功率转换效率。

器件在壳温条件下支持2.7A的连续电流和45W的功率耗散，并采用TO-220AB通孔封装以利于散热。其栅极电荷（Qg）低至13nC（最大值），有助于实现快速开关并降低驱动损耗，而±30V的栅源电压耐受范围则增强了系统的鲁棒性。