STD25N10F7

STD25N10F7是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET VII技术平台与DeepGATE工艺制造。该器件设计用于在紧凑的DPAK（TO-252）表面贴装封装内，实现高效率的功率开关与控制。其核心架构优化了单元密度与沟道设计，旨在显著降低导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G），从而在开关应用中减少传导损耗和开关损耗，提升整体能效。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（V_DSS）高达100V，为48V总线系统及类似应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值可达25A，展现出强大的电流处理能力。关键参数导通电阻在10V栅源驱动电压（V_GS）和12.5A漏极电流条件下，典型值仅为35mΩ，这直接转化为更低的通态压降和发热量。同时，其栅极总电荷（Q_G）在10V V_GS下最大值为14nC，较低的栅极电荷有助于降低驱动电路的功耗，并允许使用更小、更经济的栅极驱动器，实现更快的开关速度。

在接口与参数方面，该器件采用标准的表面贴装DPAK封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大栅源电压（V_GS）可承受±20V，提供了良好的抗干扰能力。阈值电压（V_GS(th)）最大为4.5V，确保了与常见逻辑电平或PWM控制器的良好兼容性。输入电容（C_iss）在50V V_DS下最大为920pF。器件的结温工作范围宽广，从-55°C延伸至175°C，最大功率耗散在壳温条件下为40W，使其能够适应严苛的环境要求。对于需要稳定供货与技术支持的客户，可以通过授权的ST一级代理进行采购。

基于其优异的性能组合，STD25N10F7非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场景。典型应用包括直流-直流转换器（尤其是同步整流和初级侧开关）、电机驱动控制（如电动工具、风扇）、工业自动化系统中的负载开关，以及电信和服务器电源中的功率管理模块。其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，使其成为现代高效能电源设计与电机控制解决方案中的理想选择。

• 型号:STD25N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:920 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD25N10F7是ST意法半导体基于STripFET VII技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，核心优势在于其100V的漏源电压（V_DSS）和25A的连续漏极电流（I_D）额定值，为中等功率应用提供了坚实的电压与电流处理基础。

其技术亮点在于实现了低导通损耗与低开关损耗的平衡。在10V V_GS驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至35mΩ，有效降低了通态功耗。同时，最大14nC的低栅极电荷（Q_G）有利于实现高速开关并简化驱动设计。这些特性使其在同步整流、电机驱动及各类开关电源中，能够显著提升系统效率和功率密度。