STD27N3LH5

STD27N3LH5是ST意法半导体基于其先进的STripFET V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的DPAK（TO-252）表面贴装封装，专为在紧凑空间内实现高效率的功率开关与控制而设计。其核心架构优化了单元密度与沟道电阻，在保证高电流处理能力的同时，显著降低了导通损耗和开关损耗，为电源管理应用提供了可靠的半导体解决方案。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其30V的漏源击穿电压（Vdss）使其非常适合用于低压、大电流的同步整流、电机驱动和DC-DC转换电路。在驱动方面，它是一款标准电平器件，在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值极低，在13.5A电流条件下最大值仅为19毫欧，这直接转化为更低的导通压降和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为4.6nC（@5V），结合475pF的输入电容（Ciss），意味着所需的驱动功率小，开关速度快，有助于减少开关过程中的损耗并简化驱动电路设计。

在接口与参数方面，STD27N3LH5在壳温（Tc）条件下可支持高达27A的连续漏极电流，最大功耗为30W，展现了强大的功率处理能力。其栅源电压（Vgs）耐受范围宽达±22V，提供了良好的抗干扰鲁棒性。器件的阈值电压（Vgs(th)）典型值较低，有利于在低电压逻辑电路中直接驱动。宽广的结温工作范围（-55°C至175°C）确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。用户可通过官方ST代理获取详细的技术资料与支持。

凭借其优异的性能组合，该器件主要面向对效率和功率密度有较高要求的应用场景。它是计算机主板、显卡的VRM（电压调节模块）、服务器电源中同步整流级的理想选择。此外，在低压大电流的DC-DC降压（Buck）转换器、电机控制（如无人机、小型机器人）、电池保护电路以及各类便携式设备的负载开关中，都能发挥其低导通电阻和快速开关的优势。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数在同类替代选型中仍具有重要的参考价值。

• 型号:STD27N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 27A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:475 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD27N3LH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET V技术与DPAK封装。该器件核心优势在于其极低的导通电阻与优异的开关特性，在10V Vgs、13.5A Id条件下，Rds(on)最大值仅为19mΩ，同时栅极电荷（Qg）低至4.6nC，有效降低了导通与开关损耗，提升了系统整体效率。

其电气规格针对低压大电流应用进行了优化，具备30V的漏源电压（Vdss）和高达27A（Tc）的连续漏极电流处理能力。宽泛的栅源电压耐受范围（±22V）与宽广的工作结温（-55°C ~ 175°C）进一步保障了其在复杂应用环境下的可靠性与鲁棒性，适用于要求高效率与高功率密度的电源管理解决方案。