STD2HNK60Z-1

STD2HNK60Z-1是意法半导体（STMicroelectronics）推出的SuperMESH系列N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面MOSFET技术，通过优化的单元结构和先进的制造工艺，在单芯片上实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。其核心设计旨在降低栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），这对于提升开关频率、减少开关损耗至关重要，使其在高频开关应用中能保持高效率。

该器件具备多项突出的电气特性。600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源中常见的电压应力和浪涌冲击。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗，有助于提升系统整体能效。同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为15nC，结合适中的输入电容（Ciss），意味着驱动电路的设计可以更为简化，所需的驱动电流更小，有助于降低栅极驱动损耗并提升开关速度。

在接口与参数方面，该器件采用标准的TO-251（I-PAK）通孔封装，便于在PCB板上进行安装和散热处理。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠性。连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下额定为2A，配合45W的最大功耗能力，使其能够处理相当的功率等级。栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，提供了充足的驱动安全裕度。用户可以通过官方ST代理获取完整的数据手册、应用笔记以及技术支持。

基于其高耐压、低损耗和快速开关的特性，STD2HNK60Z-1非常适用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动电源以及家用电器中的电机控制。在这些应用中，它能够有效提升电源密度和效率，同时凭借其稳健的设计保障系统的长期稳定运行。

• 型号:STD2HNK60Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STD2HNK60Z-1是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251（I-PAK）通孔封装。该器件核心优势在于其600V的高漏源电压（Vdss）额定值，结合优化的技术实现了较低的导通电阻和栅极电荷，为高压开关应用提供了高可靠性与高效率的解决方案。

其电气参数针对节能应用进行了优化，在10V栅极驱动下导通电阻表现良好，最大栅极电荷仅为15nC，这有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，最大功耗达45W，确保了在各类功率转换场景下的稳健性能。