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STN1802的图片

STN1802

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 60V 3A SOT-223
原厂封装:封装:SOT-223
优势价格,STN1802的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STN1802的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STN1802是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能NPN双极性晶体管(BJT),采用紧凑的表面贴装SOT-223封装。该器件基于成熟的硅基工艺制造,其核心架构旨在提供优异的电流处理能力与开关速度的平衡。集电极-发射极击穿电压高达60V,使其能够在多种中压应用环境中稳定工作,而高达3A的连续集电极电流能力则确保了其在驱动负载或作为功率开关时的可靠性。

该晶体管的一个显著特点是其出色的饱和特性,在集电极电流为3A、基极电流为150mA的条件下,集电极-发射极饱和压降(VCE(sat))典型值仅为400mV。这一低饱和压降特性直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生,提升了系统的整体能效。同时,其直流电流增益(hFE)在100mA集电极电流和2V集电极-发射极电压条件下,最小值达到200,这意味着只需较小的基极驱动电流即可控制较大的负载电流,简化了驱动电路的设计。高达150MHz的跃迁频率(fT)使其在音频放大、中频开关电源等需要一定速度响应的场合中也能胜任。

在接口与参数方面,STN1802采用标准的四引脚SOT-223封装(TO-261-4),其中集电极引脚与散热片相连,有助于将最大1.6W的功耗有效地散发出去,结合高达150°C的最大结温(TJ),赋予了其良好的热可靠性。其集电极截止电流(ICBO)最大值仅为100nA,体现了器件在关断状态下极低的漏电流特性,这对于电池供电设备或需要低待机功耗的系统尤为重要。对于需要稳定供应的项目,可以通过专业的ST芯片代理获取相关技术支持和库存信息。

尽管该产品目前已处于停产状态,但其经典的设计和可靠的性能使其在过去及现有的许多应用中仍占有一席之地。典型的应用场景包括线性稳压器的调整管、中小功率DC-DC转换器中的开关元件、电机驱动电路中的预驱动级或H桥臂,以及音频功率放大器的输出级。其坚固耐用的特性也使其适用于汽车电子中的辅助控制模块、工业控制板卡中的继电器或电磁阀驱动等环境要求相对严苛的领域。

  • 型号:STN1802
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:SOT-223
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 60V 3A SOT-223
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):60 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 150mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V
  • 功率 - 最大值:1.6 W
  • 频率 - 跃迁:150MHz
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商器件封装:SOT-223
  • 想获取STN1802的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STN1802是ST意法半导体生产的一款NPN双极性晶体管,采用SOT-223表面贴装封装。该器件核心参数包括60V的集射极击穿电压和3A的连续集电极电流,能够处理中功率级别的开关与放大任务。

其技术亮点在于优异的饱和特性与电流增益,在3A电流下饱和压降仅400mV,同时具备最小200的直流电流增益(hFE),这有助于降低导通损耗并简化驱动电路设计。此外,150MHz的跃迁频率和1.6W的功耗能力,使其适用于对效率和速度有要求的电源管理及信号放大场景。

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