STD2HNK60Z

STD2HNK60Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了低比导通电阻（RDS(on)）与高击穿电压（BVdss）之间的出色平衡。其核心架构旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达600V，为离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）等高压应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在25°C壳温（Tc）下，其连续漏极电流（Id）额定值为2A，结合仅4.8欧姆（在1A，10V条件下）的最大导通电阻，确保了在导通状态下具有较低的功率耗散。其栅极驱动设计友好，最大栅源电压（Vgs）为±30V，而典型的栅极阈值电压（Vgs(th)）较低，有助于简化驱动电路设计。此外，较低的栅极电荷（Qg，最大值15nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大值280pF @ 25V）显著减少了开关过程中的驱动损耗和开关时间，有利于在高频开关应用中实现更高的工作频率和效率。

在封装与接口方面，STD2HNK60Z采用标准的表面贴装型DPAK（TO-252）封装。这种封装形式在功率密度、散热性能和PCB占板面积之间取得了良好折衷，其最大功率耗散能力为45W（Tc），结合其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C），使其能够适应严苛的环境条件。用户可以通过官方授权的ST代理获取完整的技术规格书、应用笔记以及可靠的供应链支持。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，该器件非常适合应用于需要高效功率处理的中低功率场景。典型应用包括离线式开关电源的初级侧开关、LED照明驱动、家用电器辅助电源以及工业控制中的DC-DC转换模块。在这些应用中，它能够有效提升系统能效，减少散热需求，并有助于实现更紧凑的电源设计。

• 型号:STD2HNK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD2HNK60Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）和2A连续漏极电流（Id），专为要求高耐压和可靠性的中低功率开关应用而设计。

其技术优势体现在优化的动态与静态性能上。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，有助于减少导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）均维持在较低水平，这有利于实现快速的开关切换，降低开关损耗，从而提升系统整体效率。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在宽温环境下的稳定运行。