STD2N62K3

作为ST意法半导体SuperMESH3系列中的一员，STD2N62K3是一款采用先进平面工艺技术制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于ST专有的SuperMESH3技术平台，该平台通过优化单元结构和工艺制程，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间出色的权衡，从而显著提升了器件的整体能效。这种设计使得该芯片能够在高电压下保持稳定的性能，同时有效控制开关损耗，为高效率功率转换应用提供了坚实的基础。

该器件具备多项突出的功能特性。其620V的高漏源击穿电压（Vdss）确保了在严苛的离线式开关电源环境中的高可靠性，能够从容应对线路电压波动和开关感性负载时产生的电压尖峰。在导通特性方面，在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为3.6欧姆（@1.1A），这直接转化为更低的通态损耗，有助于提升系统效率并减少发热。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为15nC，较低的栅极驱动需求意味着可以使用更简单、成本更低的驱动电路，并能实现更快的开关速度，进一步降低开关损耗。

在接口与关键参数方面，STD2N62K3设计为表面贴装型，采用坚固的DPAK（TO-252）封装，具有良好的散热能力和机械强度。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达2.2A，最大允许栅源电压（Vgs）为±30V，提供了宽裕的驱动安全裕度。输入电容（Ciss）典型值较低，有助于简化栅极驱动设计。器件支持高达150°C的结温（TJ）工作，并拥有45W（Tc）的功率耗散能力，展现了其强大的鲁棒性和热性能。用户可通过官方ST代理获取完整的技术资料、样品及批量供货支持。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关的特性组合，这款MOSFET非常适用于需要高效率和高可靠性的中低功率应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动、离线式转换器以及家用电器和工业控制中的电机驱动与继电器替代。在这些应用中，它能够有效提升系统能效，减小方案尺寸，并增强整体系统的长期稳定性。

• 型号:STD2N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 欧姆 @ 1.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD2N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用DPAK封装，核心优势在于其620V的高漏源电压（Vdss）额定值与低至3.6欧姆的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这使其能够在高压应用中实现更低的传导损耗。

此外，该MOSFET具备15nC的低栅极电荷（Qg）和2.2A的连续漏极电流（Id）能力，支持快速的开关频率并有助于简化驱动电路设计。其工作结温高达150°C，功率耗散为45W，确保了在严苛环境下的可靠运行。这些特性使其成为中低功率开关电源、LED驱动和各类功率转换应用的理想选择。