STB25NM50N

STB25NM50N是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单晶片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色平衡。其核心架构通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了寄生电容，从而在高压开关应用中兼顾了高效率与快速开关性能，为电源转换系统的设计提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备500V的漏源击穿电压（Vdss）和22A的连续漏极电流（Id）能力，展现出强大的功率处理潜能。其关键特性在于极低的导通损耗，在10V驱动电压、11A电流条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为140毫欧。同时，器件拥有优化的动态特性，栅极总电荷（Qg）典型值较低，这有助于减少开关过程中的驱动损耗并提升系统频率。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±25V，提供了稳健的驱动安全裕度。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的ST代理商获取相关技术支持和库存信息。

在接口与参数方面，STB25NM50N采用标准的表面贴装D2PAK封装，具有良好的功率耗散能力，在管壳温度（Tc）下最大可承受160W的功率损耗，结温（Tj）最高支持150°C，确保了在严苛环境下的工作可靠性。其输入电容（Ciss）等参数经过精心设计，与驱动电路能实现良好匹配。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和验证过的性能参数，使其在诸多现有设计和备件市场中仍具有重要参考价值。

这款器件主要面向需要高效、高可靠性功率开关的应用场景。它非常适用于开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和DC-DC转换器中的高压侧开关，以及工业电机驱动、UPS（不间断电源）和照明镇流器等领域的功率转换部分。其优异的性能平衡使其成为中高功率离线式电源设计中，追求效率与成本优化的经典选择之一。

• 型号:STB25NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 22A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2565 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB25NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于成熟的MDmesh II产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心规格包括500V的漏源电压（Vdss）和22A的连续漏极电流（Id），展现了其处理中高功率的能力。

其技术优势在于实现了低导通电阻与良好开关性能的结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为140毫欧，有助于显著降低导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）和电容参数有利于提升开关速度并减少驱动损耗，从而提升整体电源系统的效率。这些特性使其非常适用于对效率和可靠性有较高要求的开关电源及功率转换应用。