STPSC20H12G-TR

STPSC20H12G-TR是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管，采用先进的宽禁带半导体技术制造。该器件采用TO-263-3（DPak）表面贴装封装，属于ECOPACK2环保产品系列，专为要求高效率、高功率密度和高可靠性的现代电力电子应用而设计。

其核心架构基于碳化硅肖特基技术，这从根本上区别于传统的硅基快恢复二极管。碳化硅材料具有更高的临界击穿电场强度和更宽的带隙，使得器件能够在更高的电压和温度下稳定工作。该二极管实现了零反向恢复时间（trr = 0 ns），这是其最显著的技术优势之一。在开关过程中，它不会产生传统硅二极管因少数载流子复合而导致的电流拖尾现象，从而极大地降低了开关损耗，提升了系统整体效率。

在功能特性上，该器件具备1200V的反向重复峰值电压（VRRM）和20A的平均正向电流（IF(AV)）能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。其正向压降（VF）在20A电流下典型值仅为1.5V，有助于减少导通损耗。同时，在1200V反向电压下的漏电流极低，典型值仅为120A，体现了出色的阻断特性。其结电容（Cj）在0V偏压下为1650pF，这一参数对于高频开关应用中的动态性能至关重要。

在接口与参数方面，其DPak封装提供了优异的散热性能和机械强度，便于在功率电路板上进行表面贴装（SMT）工艺处理。该封装设计优化了热阻，确保芯片产生的热量能够高效地传导至散热器，满足高功率密度设计的散热需求。用户可以通过官方授权的ST代理获取详细的技术资料、样品以及全面的设计支持。

该二极管非常适合应用于对效率和频率有严苛要求的场景。主要应用领域包括服务器和电信设备的开关模式电源（SMPS）中的功率因数校正（PFC）电路、太阳能光伏逆变器中的升压或续流二极管、不间断电源（UPS）以及工业电机驱动中的辅助电源和缓冲电路。其无反向恢复的特性使得它成为高频LLC谐振转换器、图腾柱PFC等先进拓扑结构的理想选择，能够帮助设计者实现更高的功率密度和更紧凑的系统尺寸。

• 型号:STPSC20H12G-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARB 1200V 20A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:1200 V
• 电流 - 平均整流 (Io):20A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 20 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:120 A @ 1200 V
• 不同Vr、F 时电容:1650pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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STPSC20H12G-TR是意法半导体基于碳化硅技术开发的一款1200V、20A肖特基势垒二极管，采用D2PAK表面贴装封装。其核心优势在于实现了零反向恢复时间（0 ns），彻底消除了传统硅二极管在开关过程中的反向恢复损耗和电流拖尾问题，从而显著提升开关电源和逆变器等系统的效率与工作频率。

该器件在20A额定电流下的正向压降仅为1.5V，有助于降低导通损耗。同时，其1200V的高耐压与极低的反向漏电流（120A @ 1200V）确保了出色的阻断能力和系统可靠性。这些特性使其成为要求高效率、高功率密度的高性能电源与能源转换应用的理想解决方案。