ULN2064B

ULN2064B是ST意法半导体推出的一款高可靠性、高集成度的四通道NPN达林顿晶体管阵列。该器件采用成熟的单片集成电路工艺，将四个独立的达林顿对管集成在一个16引脚的PowerDIP封装内，每个通道均包含输入电阻和箝位二极管，为设计工程师提供了一个结构紧凑、外围电路简洁的解决方案，尤其适用于需要驱动多个中功率负载的系统。

其核心架构基于经典的达林顿对管设计，每个通道由两个级联的NPN晶体管构成，这种结构能够提供极高的直流电流增益，使得微控制器或逻辑电路能够以极小的基极驱动电流（典型值仅需数毫安）来控制高达1.75A的集电极负载电流。集成的输入串联电阻简化了与数字逻辑电路的接口设计，而内置的续流二极管则为驱动感性负载（如继电器、步进电机线圈）提供了必要的反电动势泄放路径，有效保护了驱动晶体管和前端控制电路，提升了系统的稳定性和耐用性。

在电气性能方面，该器件展现了出色的驱动能力与稳健性。其集电极-发射极击穿电压高达50V，为驱动24V或更高电压的工业负载提供了充足的裕量。在典型工作条件下，其饱和压降较低，例如在1.25A集电极电流和2mA基极电流时，Vce(sat)最大值仅为1.4V，这有助于减少芯片自身的功耗和发热，提升整体能效。其最大功耗为1W，工作温度范围覆盖工业级标准的-20°C至85°C，确保了在宽温环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取产品、样片及详细的设计资料。

得益于其强大的驱动能力和集成化的设计，ULN2064B广泛应用于各类自动化控制与显示系统中。它是驱动继电器、步进电机、螺线管、白炽灯等感性或阻性负载的理想选择。常见应用场景包括工业PLC（可编程逻辑控制器）的输出模块、自动化设备的执行器驱动、打印机和扫描仪的电机控制、以及LED点阵屏或数码管的位驱动等。其通孔封装形式也使其非常适合在需要高可靠性和便于手工焊接或维修的场合中使用。

• 型号:ULN2064B
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:16-PowerDIP（20x7.10）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列
• 描述:TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 晶体管类型:4 NPN 达林顿（双）
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1.75A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.4V @ 2mA，1.25A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:-
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:-
• 功率 - 最大值:1W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:-20°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:16-PowerDIP（0.300，7.62mm）
• 供应商器件封装:16-PowerDIP（20x7.10）
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ULN2064B是ST意法半导体生产的一款四通道NPN达林顿晶体管阵列，采用16-PowerDIP通孔封装。该器件集成了四个独立的高增益达林顿对，每个通道均内置输入电阻和续流箝位二极管，极大简化了外围电路设计。

其核心电气参数决定了强大的驱动能力：集电极电流最高可达1.75A，集射极耐压达50V，能够直接驱动多种中功率负载。在1.25A的典型工作电流下，其饱和压降最大值仅为1.4V，有效降低了导通损耗。该器件工作温度范围为-20°C至85°C，功耗为1W，为工业控制、自动化设备等应用提供了一个可靠、高效的负载驱动解决方案。