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M24C02-DRDW8TP/K

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 2KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
原厂封装:封装:8-TSSOP
优势价格,M24C02-DRDW8TP/K的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24C02-DRDW8TP/K的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24C02-DRDW8TP/K是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的2Kb串行EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的EEPROM技术构建,其核心存储单元为256 x 8的组织结构,提供了可靠的字节级和页级编程能力。其设计遵循了IC串行接口标准,这是一种广泛采用的双线制通信协议,仅需串行数据线(SDA)和串行时钟线(SCL)即可实现与微控制器或处理器的数据交换,极大简化了系统板级布局和连接复杂度。

该芯片的功能特性突出体现在其宽电压范围与高可靠性上。其工作电压支持从1.8V至5.5V,使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的各类应用平台。高达1MHz的快速时钟频率确保了数据传输的高效率,而典型的字或页写入周期时间为4ms,访问时间仅为450ns,为需要频繁读写配置参数或状态数据的系统提供了快速响应。作为符合AEC-Q100标准的车规级产品,它能够在-40°C至105°C的严苛环境温度下稳定工作,满足汽车电子应用对元器件可靠性的极高要求。

在接口与电气参数方面,M24C02-DRDW8TP/K提供了完整的IC协议支持,包括器件地址识别、应答机制以及写保护功能,增强了系统数据的安全性。其非易失性特性保证了在断电情况下数据依然能够长期保存。该器件采用表面贴装型的8引脚TSSOP封装,体积紧凑,适合高密度PCB板设计。对于需要稳定供应链和技术支持的客户,可以通过ST中国代理获取该产品的详细资料、样品以及批量采购服务。

基于其稳健的性能和车规级认证,M24C02-DRDW8TP/K非常适合应用于对环境适应性和数据可靠性有严格要求的领域。典型应用场景包括汽车电子系统中的车身控制模块、仪表盘、传感器数据记录,以及工业控制、消费电子、医疗设备中的参数存储、配置信息保存和事件日志记录。其小尺寸和低功耗特性也使其成为便携式设备和物联网(IoT)节点的理想选择。

  • 型号:M24C02-DRDW8TP/K
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-TSSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 2KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:2Kb
  • 存储器组织:256 x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:1 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:4ms
  • 访问时间:450 ns
  • 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-TSSOP
  • 想获取M24C02-DRDW8TP/K的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24C02-DRDW8TP/K是ST意法半导体推出的一款2Kb容量串行EEPROM存储器,采用标准的IC接口,通信时钟频率最高可达1MHz。该器件提供256 x 8位的存储组织,支持字节和页写入操作,典型写入周期为4ms。

其核心优势在于宽广的1.8V至5.5V工作电压范围以及通过AEC-Q100认证的汽车级可靠性,工作温度范围覆盖-40°C至105°C。该芯片采用8引脚TSSOP封装,具有非易失性数据保存特性,主要面向需要高可靠参数存储的汽车电子、工业控制及消费类应用。

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