STP360N4F6

STP360N4F6是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款面向严苛应用环境的N沟道功率MOSFET。该器件隶属于其高性能的Automotive, AEC-Q101, DeepGATE, STripFET VI产品系列，采用了先进的STripFET VI技术架构。这一架构的核心在于优化了单元密度和沟槽结构，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡，从而在给定的芯片面积下提供更高的电流处理能力和更低的传导损耗。

该MOSFET的显著特性体现在其卓越的电气参数上。其漏源电压（Vdss）额定为40V，在壳温（Tc）条件下能够持续承受高达120A的漏极电流，展现出强大的功率处理能力。更为关键的是，其在10V栅极驱动电压、60A漏极电流条件下的导通电阻（Rds(on)）典型值低至1.8毫欧，这一极低的导通电阻直接转化为更低的通态损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值为340nC @ 10V，较低的栅极电荷有助于降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计，使得器件在高频开关应用中也能保持优异性能。

在接口与可靠性方面，STP360N4F6采用经典的TO-220通孔封装，便于安装和散热。其最大允许栅源电压（Vgs）为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，并符合AEC-Q101汽车级标准，确保了在高温、高振动等恶劣环境下的长期稳定性和可靠性。其最大功率耗散能力为300W（Tc），结合良好的封装热特性，能够满足高功率密度应用的需求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关技术支持和库存信息。

基于其高电流、低电阻、汽车级的可靠性和TO-220封装的便利性，这款MOSFET非常适用于对效率和可靠性要求极高的应用场景。典型应用包括汽车系统中的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、DC-DC转换器中的同步整流或主开关、以及工业领域中的电源管理、电池保护电路和大电流负载开关。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中，它仍然是一个关键的高性能器件选择。

• 型号:STP360N4F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:340 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:17930 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP360N4F6是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，专为高电流、高效率应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、60A Id条件下典型值仅为1.8毫欧，这能显著降低传导损耗，提升系统整体能效。

该器件额定漏源电压为40V，在壳温条件下连续漏极电流可达120A，最大功率耗散为300W，具备强大的功率处理能力。同时，其栅极电荷较低（最大340nC @ 10V），有利于实现快速的开关切换并减少开关损耗。器件符合AEC-Q101汽车级标准，工作结温范围宽至-55°C ~ 175°C，确保了在汽车电子等严苛环境下的高可靠性和稳定性。