STD2NK70Z-1

作为ST意法半导体SuperMESH系列中的一员，STD2NK70Z-1是一款采用N沟道增强型平面MOSFET技术的功率器件。其核心架构基于ST先进的SuperMESH工艺，该工艺通过优化单元密度和沟道设计，在保持高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻。这种设计理念使得器件能够在高压环境下实现更低的传导损耗，为高效能功率转换提供了坚实的基础。该器件采用坚固的I-PAK（TO-251）通孔封装，确保了良好的机械强度和散热能力，便于在传统PCB板上进行可靠的安装。

在电气特性方面，该器件展现出针对高压开关应用优化的性能组合。其高达700V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对反激式拓扑中常见的电压应力，为离线式开关电源（SMPS）提供了充足的电压裕量。在导通特性上，其在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，有助于减少导通期间的功率耗散。其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过精心设计，有助于实现较快的开关速度并降低驱动电路的负担，从而提升整体系统效率。对于需要技术支持或批量采购的客户，可以联系专业的ST芯片代理获取详细的支持。

从接口与参数来看，该MOSFET在25°C壳温下可支持1.6A的连续漏极电流，并拥有45W的功率耗散能力，结合其宽泛的-55°C至150°C结温工作范围，保证了其在苛刻环境下的稳定运行。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值设计为4.5V，与标准逻辑电平驱动兼容性良好，同时±30V的最大栅源电压提供了稳健的驱动安全边际。这些参数共同定义了一个适用于中等功率、高压场合的开关解决方案。

基于其技术特性，STD2NK70Z-1非常适合应用于需要高压开关和高效能转换的领域。其典型应用场景包括家用电器和工业设备中的离线式电源适配器、LED驱动电源的功率级，以及小功率电机驱动和辅助电源电路。在这些应用中，它能够有效承担主开关或辅助开关的角色，凭借其高耐压和良好的开关特性，帮助系统实现紧凑的设计和较高的能源效率。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代型号，但在既有设备的维护和备件供应中仍具价值。

• 型号:STD2NK70Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 1.6A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 欧姆 @ 800mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STD2NK70Z-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用I-PAK封装，核心特性包括700V的高漏源电压（Vdss）和1.6A的连续漏极电流（Tc=25°C），专为应对高压环境下的开关应用而设计。

其技术参数针对效率进行了优化，在10V驱动电压下具有较低的导通电阻，同时栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）值有助于实现快速的开关切换，从而降低开关损耗。器件支持高达45W的功率耗散，并能在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作，确保了其在各种电源转换场景中的可靠性。