STD2NK90Z-1

STD2NK90Z-1是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直沟槽栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在保持高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻。其核心设计目标是在高电压应用中实现高效率与高可靠性的平衡，这使其成为开关电源和功率转换系统中的关键元件。

该MOSFET具备一系列突出的电气特性。其900V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、功率因数校正（PFC）电路等高压环境下的电压应力。在导通特性方面，在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过精心优化，有助于降低开关过程中的驱动损耗和开关损耗，提升高频开关性能。

在接口与参数层面，该器件采用通孔安装的I-PAK封装，具有良好的机械强度和散热能力。其最大连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下为2.1A，最大功耗为70W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。栅极驱动电压范围宽（±30V），阈值电压（Vgs(th)）典型值适中，便于驱动电路设计。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品的详细信息、样品和技术文档。

凭借其高耐压、优化的开关性能以及坚固的封装，STD2NK90Z-1非常适用于要求苛刻的离线式开关电源（SMPS）、照明镇流器、工业电机驱动辅助电源以及UPS（不间断电源）系统等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升电源系统的功率密度和整体能效，是工程师设计高性能、高可靠性功率电路的优选器件之一。

• 型号:STD2NK90Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 2.1A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 欧姆 @ 1.05A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:485 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STD2NK90Z-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件专为高压应用设计，其核心参数包括900V的漏源电压（Vdss）和2.1A的连续漏极电流（Id），提供了出色的电压阻断能力和电流处理能力。

在性能上，其优化的导通电阻与栅极电荷（Qg）实现了导通损耗与开关损耗的良好平衡。采用I-PAK通孔封装，支持高达70W的功率耗散，工作温度范围覆盖-55°C至150°C，确保了在各类工业与消费电子电源设计中的高可靠性和耐用性。