STGW60H65FB

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STGW60H65FB是一款采用先进沟槽型场截止（Trench Field Stop）技术的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该架构在传统沟槽栅结构基础上，引入了优化的场截止层，有效减薄了漂移区厚度，从而在维持高击穿电压的同时，显著降低了通态压降（Vce(sat)）和开关损耗。这种设计使得器件在650V的额定电压下，能够实现更优的导通与开关性能平衡，为高功率密度和高效率应用提供了坚实的硬件基础。

该器件集成了多项旨在提升可靠性与易用性的功能特点。其集电极-发射极饱和压降（Vce(on)）在典型工作条件（15V栅极驱动、60A集电极电流）下最大仅为2.3V，这意味着在导通期间产生的传导损耗较低，有助于提升系统整体能效。同时，其开关特性经过优化，开启延迟时间（Td(on)）与关断延迟时间（Td(off)）分别典型值为51ns和160ns，配合较低的栅极电荷（306nC），有助于实现快速、干净的开关动作，减少开关损耗并简化驱动电路设计。其高达240A的脉冲电流处理能力，为应对电机启动、负载突变等瞬时过流工况提供了充足的裕量。

在电气参数方面，STGW60H65FB标称集电极电流为80A，最大功耗为375W，采用标准的TO-247-3通孔封装，具有良好的散热能力和机械强度。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。开关能量参数（Eon 1.09mJ， Eoff 626J）直观反映了其在开关过程中的损耗水平，是评估高频应用可行性的关键指标。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及全面的技术支持。

基于其650V/80A的额定值与优异的动态性能，这款IGBT非常适合于工业电机驱动、不间断电源（UPS）、光伏逆变器以及焊接设备等中高功率应用场景。在这些领域中，它能够有效承担功率转换与开关的核心任务，帮助系统设计实现高效率、高功率密度和高可靠性的目标，是工程师构建下一代电力电子系统的优选功率器件之一。

• 型号:STGW60H65FB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:1.09mJ（导通），626J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:306 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns
• 测试条件:400V，60A，5 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247
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STGW60H65FB是ST意法半导体推出的一款650V、80A额定电流的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用TO-247-3封装。该器件基于沟槽型场截止技术，在15V栅极驱动、60A电流条件下，最大集射极饱和压降仅为2.3V，有效降低了导通损耗。

其开关特性经过优化，具备快速的开关速度（典型Td(on)/Td(off)为51ns/160ns）和较低的栅极电荷（306nC），有助于减少开关损耗并简化驱动设计。该IGBT支持高达240A的脉冲电流，最大功耗为375W，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，为工业电机驱动、UPS、光伏逆变器等中高功率应用提供了高效、可靠的功率开关解决方案。