STD2NK90ZT4

STD2NK90ZT4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过创新的单元设计和沟槽工艺，在实现高达900V的漏源击穿电压（Vdss）的同时，显著改善了导通电阻与栅极电荷之间的权衡关系。这种架构有效降低了单位面积的导通损耗，并优化了内部电容，为高频开关应用中的效率提升奠定了物理基础。

在电气特性方面，该MOSFET展现出卓越的性能平衡。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、1.05A电流条件下典型值仅为6.5欧姆，这有助于减少导通状态下的功率损耗。同时，栅极总电荷（Qg）最大值控制在27nC，结合485pF的输入电容（Ciss），意味着器件所需的驱动能量较低，能够实现快速的开关转换，从而降低开关损耗并简化驱动电路设计。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了较强的抗干扰能力。

该器件采用标准的DPAK（TO-252）表面贴装封装，具有良好的功率处理能力和散热特性，在管壳温度（Tc）下最大功率耗散可达70W。其工作结温范围宽广，覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。连续漏极电流（Id）在特定温度条件下标称为2.1A，使其能够在中小功率场合稳定工作。用户可以通过官方授权的ST代理渠道获取完整的技术支持与供应保障。

凭借高耐压、低栅极电荷和良好的开关特性，STD2NK90ZT4非常适用于需要高效能和高可靠性的离线式电源转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动以及工业级适配器和辅助电源。在这些场景中，它能够有效提升系统整体效率，并满足相关的安规与能效标准要求。

• 型号:STD2NK90ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 欧姆 @ 1.05A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:485 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD2NK90ZT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于其900V的高漏源电压（Vdss）额定值与优化的动态参数相结合，为高压开关应用提供了高效的解决方案。

其关键电气参数包括：在10V驱动下导通电阻（Rds(on)）最大值为6.5欧姆，有助于降低导通损耗；栅极电荷（Qg）最大值仅为27nC，有利于实现快速开关并减少驱动损耗。器件采用DPAK封装，最大功率耗散为70W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。