STD5N20T4

STD5N20T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MESH OVERLAY工艺技术制造。该器件采用表面贴装型DPAK封装，专为在紧凑空间内实现高效的功率开关与控制而设计。其核心架构基于成熟的平面MOSFET技术，通过优化的单元结构和沟道设计，在200V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡，这对于降低开关损耗和提升整体效率至关重要。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其最大连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达5A，展现出稳健的电流处理能力。在驱动方面，仅需10V的栅源电压即可获得最小导通电阻，其典型值在2.5A、10V条件下不高于800毫欧，确保了在导通状态下的低功耗。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为27nC（@10V），结合最大350pF的输入电容（Ciss @25V），意味着栅极驱动电路的设计可以更为简化，并能实现快速的开关切换，有效减少开关过程中的能量损失。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的范围，提供了良好的抗干扰能力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关技术资料与库存信息。

在电气参数上，STD5N20T4的阈值电压Vgs(th)最大为4V（@250A），这有助于防止因噪声引起的误触发，增强系统的可靠性。器件的最大结温（Tj）为150°C，在壳温条件下的最大功率耗散为45W，使其能够适应一定的高温工作环境。这些参数共同定义了一个适用于中压、中电流场景的高性能开关解决方案。

基于其200V的耐压和5A的电流能力，STD5N20T4非常适合于一系列要求高效率与可靠性的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧或次级侧整流与同步整流、DC-DC转换器、电机驱动控制电路、照明镇流器以及工业自动化设备中的功率管理模块。其DPAK封装形式兼顾了功率处理能力与PCB空间利用率，是许多现代电子设备功率部分设计的理想选择之一。

• 型号:STD5N20T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD5N20T4是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用MESH OVERLAY技术，封装形式为表面贴装DPAK。该器件核心额定参数为漏源电压200V（Vdss），在壳温条件下连续漏极电流可达5A，为中压功率开关应用提供了坚实的基础。

其关键优势在于优异的动态性能与导通特性平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，同时栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）均保持在较小数值，这有助于实现高效率与快速的开关速度，从而降低系统整体功耗并简化驱动设计。器件支持高达150°C的结温工作，具备良好的热性能与可靠性。