STW12NK90Z

STW12NK90Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺架构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心设计旨在有效管理高电压下的电场分布，从而在900V的额定漏源电压（Vdss）下，依然能保持稳健的电气性能和可靠性，为高压开关应用提供了一个坚固的半导体基础。

该芯片的一个显著特点是其优异的动态性能与导通特性。在10V的栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的整体能效。最大152nC的栅极电荷（Qg @ 10V）与3500pF的输入电容（Ciss @ 25V）参数，表明其在开关过程中所需的驱动能量得到了良好控制，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度。同时，其宽泛的栅源电压（Vgs）耐受范围（±30V）增强了系统的鲁棒性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过专业的ST芯片代理获取该产品及相关技术支持。

在接口与关键参数方面，STW12NK90Z采用标准的TO-247-3通孔封装，便于安装和散热。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达11A，最大功率耗散为230W（Tc），结合-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，使其能够适应苛刻的环境条件。4.5V的最大栅极阈值电压（Vgs(th)）确保了与常见逻辑电平或驱动IC的良好兼容性。这些参数共同定义了一个高效、耐用的高压功率开关解决方案。

凭借900V的高耐压和良好的开关特性，STW12NK90Z非常适用于对效率和可靠性要求严苛的高压功率转换领域。其典型应用场景包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、UPS（不间断电源）系统、电机驱动与变频器中的高压侧开关，以及照明领域的电子镇流器和LED驱动电源。在这些应用中，它能够有效提升系统功率密度，降低热管理负担，是实现高性能、高可靠性电力电子设计的优选器件。

• 型号:STW12NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:880 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:152 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:230W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW12NK90Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心优势在于其900V的高漏源电压（Vdss）额定值与低至880毫欧（@ 5.5A, 10V）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这使其在高电压应用中能显著降低导通损耗。

其电气参数针对高效开关进行了优化，最大栅极电荷（Qg）为152nC，有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗。器件在壳温条件下支持11A的连续漏极电流和230W的最大功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行与高可靠性。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和高端照明系统等高压功率转换设计的理想选择。