STB140N4F6

STB140N4F6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET F6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直沟槽栅极架构，通过精密的单元设计和制造工艺，在单位芯片面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）的出色平衡。这种架构的核心优势在于显著降低了传导损耗和开关损耗，为高效率的功率转换应用奠定了坚实的物理基础。

在功能特性上，该MOSFET展现出卓越的性能。其漏源击穿电压（V_DSS）为40V，适用于常见的12V、24V及48V中间总线系统。在壳温（T_C）为25°C的条件下，连续漏极电流（I_D）高达80A，具备强大的电流处理能力。其导通电阻在4.5V的低栅极驱动电压下即可达到最小值，这意味着它能够与主流低压逻辑电平控制器（如3.3V或5V MCU）高效兼容，简化了驱动电路设计，同时有助于降低栅极驱动损耗。其封装为坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装型，提供了优异的散热性能和机械可靠性，最大功率耗散可达168W（T_C）。

从接口与参数角度看，这款器件专为高电流、高频率开关应用而优化。其低栅极电荷特性确保了快速的开关瞬态响应，这对于提升开关电源的转换频率、减小无源元件（如电感和电容）的体积至关重要。优异的热性能与高电流能力相结合，使其能够在紧凑的空间内处理可观的功率。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的设计项目，通过官方ST授权代理进行采购是确保产品正品与供货稳定的重要途径。

基于上述技术特点，STB140N4F6非常适合于对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。它广泛应用于服务器和通信设备的同步整流、DC-DC转换器，特别是降压（Buck）和半桥/全桥拓扑结构。在电机驱动与控制领域，如电动工具、无人机电调、工业变频器中，它可作为高效的功率开关管。此外，在汽车电子的辅助系统，如LED照明驱动、风扇控制等低压大电流场合，其稳健的性能也能提供可靠的解决方案。

• 制造商产品型号：STB140N4F6
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET F6
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：40V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：80A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：168W（Tc）
• 工作温度：-
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：D2PAK
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STB140N4F6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F6产品系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，在40V的漏源电压（V_DSS）规格下，实现了高达80A（T_C）的连续漏极电流处理能力，并具备优异的低导通电阻特性。

其设计针对高效率开关应用进行了深度优化，支持低至4.5V的逻辑电平驱动，便于与微控制器直接接口，简化系统设计。采用D2PAK（TO-263）表面贴装封装，提供了168W（T_C）的强大功率耗散能力，确保了在高功率密度应用中的热可靠性和长期稳定性。