STF5N95K5

STF5N95K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心架构旨在最大限度地降低开关损耗和传导损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该器件具备一系列突出的功能特性。其950V的高漏源击穿电压（Vdss）提供了宽裕的电压裕量，使其能够从容应对工业应用中的电压尖峰和浪涌，确保了系统在严苛环境下的长期可靠性。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这直接转化为更低的通态损耗，有助于减少发热并提升能效。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于高频开关电源设计尤为重要，可以有效减小磁性元件的体积和系统尺寸。

在接口与关键参数上，STF5N95K5采用标准的TO-220FP绝缘封装，便于安装散热器以实现更高的功率耗散能力，其最大结温（Tj）可达150°C，适应宽泛的工作温度范围。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下为3.5A，结合25W的功率耗散能力，使其能够处理可观的功率等级。栅极驱动电压范围兼容常见的10V至15V驱动电路，最大栅源电压（Vgs）为±30V，提供了良好的抗干扰能力。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过专业的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

得益于其高耐压、低损耗和坚固的封装，STF5N95K5非常适用于要求高效率和高可靠性的离线式功率转换场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关，如PC电源、工业电源适配器和LED驱动电源。此外，它也适用于功率因数校正（PFC）电路、电机控制驱动中的高压侧开关以及不同断电源（UPS）系统中的逆变器模块。在这些应用中，它能够有效提升系统功率密度和能源利用率，是工程师设计高性能、高性价比功率解决方案的优选器件之一。

• 型号:STF5N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 3.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:220 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF5N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH5产品系列。该器件核心优势在于其950V的高漏源电压（Vdss）额定值，为应对高压环境下的电压应力提供了坚实保障，同时保持了较低的导通电阻，有助于降低传导损耗。

其电气参数针对高效开关应用进行了优化，包括较低的栅极电荷和输入电容，这有助于实现快速的开关瞬态，从而减少开关损耗并提升系统整体效率。器件采用TO-220FP通孔封装，支持安装散热器，最大结温达150°C，功率处理能力可靠，适用于需要高可靠性和高效率的功率转换设计。