STD36NH02L

STD36NH02L是ST意法半导体基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过精细的单元设计和沟槽栅工艺，在紧凑的DPAK封装内实现了优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on)*Qg），这一指标是衡量开关效率的关键因素。其内部结构有效降低了寄生电容，为高频开关应用中的快速导通与关断提供了物理基础。

该MOSFET的核心电气特性使其在低电压、大电流场景中表现突出。其最大漏源电压（Vdss）为24V，在25°C壳温条件下连续漏极电流（Id）可达30A。尤为关键的是，在10V栅极驱动电压、15A漏极电流的测试条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至14.5毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，栅极总电荷（Qg）在10V条件下仅为20nC，这意味着它能够被标准逻辑电平（如5V）轻松驱动，并且所需的栅极驱动功率小，有助于简化驱动电路设计并提升系统整体效率。

在接口与参数方面，该器件采用标准的表面贴装DPAK封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，提供了较强的抗门极噪声能力。输入电容（Ciss）在15V条件下最大为860pF，结合低栅极电荷特性，确保了快速的开关瞬态响应。器件的结温（TJ）工作范围宽广，从-55°C延伸至175°C，最大功率耗散为45W（壳温条件下），展现了良好的热性能和环境适应性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品的技术支持和库存信息。

尽管该产品目前已处于停产状态，但其技术参数依然定义了其在特定历史应用场景中的价值。它非常适用于需要高效率、高功率密度的DC-DC同步整流、电机驱动控制、负载开关以及低压大电流的电源管理模块。例如，在计算机主板、显卡的VRM（电压调节模块）或服务器电源的次级侧整流电路中，其低导通电阻和快速开关特性有助于提升电能转换效率，降低系统温升。

• 型号:STD36NH02L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.5 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:860 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD36NH02L是ST意法半导体推出的一款采用STripFET III技术的N沟道功率MOSFET，封装为DPAK。其核心优势在于优异的导通性能与开关特性的平衡，在24V的漏源电压（Vdss）下，支持高达30A的连续漏极电流（Id）。

该器件在10V栅极驱动、15A电流条件下的导通电阻（Rds(on)）低至14.5毫欧，能显著降低导通损耗。同时，其栅极总电荷（Qg）仅为20nC，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大2.5V，确保了其能被标准逻辑电平高效驱动，并实现快速的开关速度，适合高频开关应用。